恭喜浙江驰拓科技有限公司李州获国家专利权
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龙图腾网恭喜浙江驰拓科技有限公司申请的专利磁性存储单元及磁性存储单元的存内计算方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114694706B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011643846.9,技术领域涉及:G11C11/16;该发明授权磁性存储单元及磁性存储单元的存内计算方法是由李州;石以诺;孟皓设计研发完成,并于2020-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁性存储单元及磁性存储单元的存内计算方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种磁性存储单元及存内计算方法。所述磁性存储单元包括:自旋轨道矩提供层及其上方的磁性隧道结,与磁性隧道结同侧或不同侧的磁性偏置层,磁性隧道结上方的氧化层和顶电极,以及用于提供写入信号的四个端子,第一端子连接至自旋轨道矩提供层一端并配置为施加第一写入信号,第二端子连接至自旋轨道矩提供层另一端并配置为施加第二写入信号,第三端子连接至顶电极并配置为施加第三写入信号,第四端子连接至自旋轨道矩提供层底端并配置为连接开关器件后接地。本发明的磁性存储单元可实现存内计算。
本发明授权磁性存储单元及磁性存储单元的存内计算方法在权利要求书中公布了:1.一种磁性存储单元,其特征在于,包括: 自旋轨道矩提供层及其上方的磁性隧道结; 磁性偏置层,位于所述磁性隧道结上方; 氧化层,位于所述磁性偏置层上方; 顶电极,位于所述氧化层上方; 第一端子,连接至所述自旋轨道矩提供层一端,所述第一端子配置为施加第一写入信号; 第二端子,连接至所述自旋轨道矩提供层另一端,所述第二端子配置为施加第二写入信号; 第三端子,连接至所述顶电极,所述第三端子配置为施加第三写入信号; 第四端子,连接至所述自旋轨道矩提供层底端,所述第四端子配置为连接开关器件后接地; 其中,所述第一端子、所述第二端子、所述第三端子均具有逻辑值,所述第四端子连接的开关器件的状态与所述第一端子和所述第二端子的逻辑值有关。
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