恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司陈建获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利一种半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114530378B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011323041.6,技术领域涉及:H10D30/01;该发明授权一种半导体结构及其形成方法是由陈建;涂武涛;王彦设计研发完成,并于2020-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了:一种半导体结构及其形成方法,其中方法包括:提供衬底,所述衬底包括基底、位于所述基底表面的若干鳍部、以及位于所述基底表面的第一隔离结构,所述第一隔离结构位于所述鳍部部分侧壁表面,且所述第一隔离结构的顶部表面低于所述鳍部的顶部表面,所述鳍部包括沿所述鳍部延伸方向排布的第一区和第二区;去除所述第一区,在所述鳍部内形成沟槽,所述沟槽底部低于所述第一隔离结构顶部表面,且所述沟槽的侧壁暴露出所述第一隔离结构和所述第二区;在所述沟槽内形成第二隔离结构,形成所述第二隔离结构的过程中,仅刻蚀所述鳍部,不会导致第一隔离结构产生部分的应力释放的情况,从而使得晶体管应力分布保持不变,提高器件的电性能。
本发明授权一种半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括: 提供衬底,所述衬底包括基底、位于所述基底表面的若干鳍部、以及位于所述基底表面的第一隔离结构,所述第一隔离结构位于所述鳍部部分侧壁表面,且所述第一隔离结构的顶部表面低于所述鳍部的顶部表面,所述鳍部包括沿所述鳍部延伸方向排布的第一区和第二区; 形成横跨所述鳍部的栅极层,部分所述栅极层还位于所述第一隔离结构上; 在所述衬底上形成层间介质层,所述层间介质层还位于所述栅极层侧壁; 刻蚀所述层间介质层,在相邻的两个栅极层之间形成第一开口,所述第一开口暴露出高于所述第一隔离结构的部分第一区和所述第一隔离结构表面; 去除所述第一开口底部高于第一隔离层的部分第一区,在相邻的两个栅极层之间、所述鳍部内和所述第一隔离层表面形成第二开口; 继续刻蚀所述第一区,以去除所述第一区,在所述鳍部内形成沟槽,所述沟槽底部低于所述第一隔离结构顶部表面,且所述沟槽的侧壁暴露出所述第一隔离结构和所述第二区; 在所述沟槽内和所述第二开口内形成第二隔离结构。
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