恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司郑二虎获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114530501B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011323071.7，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体结构及其形成方法是由郑二虎;陈卓凡;苏博设计研发完成，并于2020-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中，方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成若干相互分立的栅极结构、第一导电结构和侧墙结构，并且，在所述栅极结构两侧的衬底内形成若干源漏结构，所述第一导电结构位于所述源漏结构表面，所述侧墙结构位于所述栅极结构和所述第一导电结构的侧壁之间，所述侧墙结构包括空气间隙、以及位于所述空气间隙顶部的密封层，所述密封层用于对所述空气间隙进行密封。从而，通过所述空气间隙，降低了半导体结构的寄生电容，提高了半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 若干位于所述衬底上且相互分立的栅极结构； 若干位于所述栅极结构两侧的衬底内的源漏结构； 位于所述源漏结构表面的第一导电结构； 位于所述栅极结构和所述第一导电结构的侧壁之间的侧墙结构，所述侧墙结构包括：位于所述栅极结构的侧壁上的第一侧墙、空气间隙、位于所述空气间隙顶部的密封层、位于所述第一侧墙和所述空气间隙之间的刻蚀停止层，以及位于所述第一导电结构的侧壁上的第二侧墙；所述空气间隙位于所述刻蚀停止层和第二侧墙之间，所述密封层用于对所述空气间隙进行密封； 其中，通过第一导电开口暴露出所述源漏结构表面；所述刻蚀停止层暴露部分所述源漏结构的顶部表面，并覆盖所述第一导电开口的侧壁，所述第二侧墙暴露第一导电开口底面的刻蚀停止层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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