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龙图腾网恭喜派恩杰半导体(杭州)有限公司申请的专利一种反相器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114513194B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011283281.8，技术领域涉及：H03K3/012；该发明授权一种反相器是由陈欣璐;黄兴设计研发完成，并于2020-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种反相器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种反相器。该反相器包括：增强型晶体管Q1和Q2，以及控制电路C，该增强型晶体管Q1的漏极与母线电压VD相连接，源极与该增强型晶体管Q2的漏极以及电压输出端VOUT相连，栅极与该控制电路C的输出相连；该增强型晶体管Q2的漏极与Q1的源极以及电压输出端VOUT相连，源极接地，栅极与输入电压VIN相连；该控制电路C与该增强型晶体管Q1的栅极、输入电压VIN、以及母线电压VD相连，用于使增强型晶体管Q1和Q2的开通状态反相。利用本发明的实施方式，由于增强型晶体管Q1不是处于常开的状态，因而可以减少电路损耗。

本发明授权一种反相器在权利要求书中公布了：1.一种反相器，其特征在于，所述反相器包括：增强型晶体管Q1和增强型晶体管Q2，以及控制电路C， 其中， 所述增强型晶体管Q1的漏极与母线电压VD相连接，源极与所述增强型晶体管Q2的漏极以及电压输出端VOUT相连，栅极与所述控制电路C的输出相连； 所述增强型晶体管Q2的漏极与所述增强型晶体管Q1的源极以及电压输出端VOUT相连，源极接地，栅极与输入电压VIN相连； 所述控制电路C与所述增强型晶体管Q1的栅极、输入电压VIN、以及母线电压VD相连，用于使增强型晶体管Q1和Q2的开通状态反相； 所述控制电路C包括增强型晶体管Q3和电阻R1，所述电阻R1的一端与母线电压VD相连接，另一端与所述增强型晶体管Q3的漏极以及所述增强型晶体管Q1的栅极相连接，所述增强型晶体管Q3的栅极与输入电压VIN相连接，源极与地相连接； 所述增强型晶体管Q3为GaN高电子迁移率晶体管，在栅极被施加高于其阈值电压的高电压时导通，所述增强型晶体管Q3的栅宽与所述增强型晶体管Q1和Q2的栅宽相同，且所述电阻R1的取值不大于增强型晶体管Q3完全开通下导通电阻Rdson的100倍；且 所述控制电路C还包括连接在增强型晶体管Q3和电压母线之间的稳压辅助控制单元，所述稳压辅助控制单元用于在所述增强型晶体管Q1导通时，稳定施加在所述电压输出端VOUT的电压。

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