恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司苏博获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114497217B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011265491.4，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体结构及其形成方法是由苏博;吴汉洙;施雪捷设计研发完成，并于2020-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：所述沟道层包括沿所述鳍部延伸方向排布的第一区和第二区，所述第一区两侧分别与所述第二区相邻；形成横跨所述鳍部的若干栅极层，若干所述栅极层位于所述第二区上；在所述衬底上形成层间介质层，且所述层间介质层还位于所述栅极层侧壁；在所述层间介质层内形成沟槽，所述沟槽位于所述第一区上；向所述沟槽底部注入改性离子，使所述第一区形成掺杂区；在形成所述掺杂区之后，对所述掺杂区进行退火处理，使所述掺杂区形成第一隔离区，所述第一隔离区的形成不需要采用对鳍部先进行刻蚀形成隔断沟槽，而后在隔断沟槽内填充绝缘介质形成第一隔离区的方式，维持了所述沟道层的应力，改善了器件的性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括基底、位于所述基底表面的若干鳍部，所述鳍部包括位于所述基底表面的底部结构层，以及位于所述底部结构层上的沟道层，所述沟道层包括沿所述鳍部延伸方向排布的第一区和第二区，所述第一区两侧分别与所述第二区相邻； 横跨所述鳍部的栅极层，所述栅极层位于所述第二区上； 位于所述衬底上的层间介质层，所述层间介质层还位于所述栅极层侧壁； 位于所述层间介质层内且位于所述第一区上的沟槽； 位于所述第一区的第一隔离区，所述第一隔离区的形成方法包括，向所述沟槽底部注入改性离子，使所述第一区形成掺杂区，在形成所述掺杂区之后，对所述掺杂区进行退火处理，使所述掺杂区形成第一隔离区。
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