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龙图腾网恭喜株式会社日本显示器申请的专利光传感器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114788016B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080085492.2，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权光传感器装置是由津吹将志设计研发完成，并于2020-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本光传感器装置在说明书摘要公布了：光传感器装置包括：基板；以及设置于基板上的像素区域处的作为受光元件发挥功能的第1晶体管，和写入读取用的第2晶体管。第1晶体管由使用多晶硅的晶体管形成，第2晶体管由使用氧化物半导体的晶体管形成。在第2晶体管的氧化物半导体的背面侧设置遮光层。由此，能够长时间地对光传感器装置照射光，因此能够使第1晶体管的受光量增加，并且能够抑制第2晶体管的特性变动。

本发明授权光传感器装置在权利要求书中公布了：1.光传感器装置，其包括： 基板；以及 设置于基板上的像素区域处的第1晶体管、第2晶体管和第1遮光层， 所述第1晶体管包括： 设置于所述基板上的第1多晶硅层； 设置于所述第1多晶硅层上的第1绝缘膜； 设置于所述第1绝缘膜上且具有与所述第1多晶硅层重叠的区域的第1栅电极； 设置于所述第1栅电极上的第2绝缘膜和第3绝缘膜；以及 经由设置于所述第2绝缘膜和所述第3绝缘膜的开口部而与所述第1多晶硅层电连接的第1源电极和第1漏电极， 所述第2晶体管包括： 设置于所述第2绝缘膜上的氧化物半导体层； 设置于所述氧化物半导体层上的所述第3绝缘膜； 设置于所述第3绝缘膜上的第2栅电极； 设置于所述第2栅电极上的第4绝缘膜；以及 经由设置于所述第4绝缘膜的开口部而与所述氧化物半导体层电连接的第2源电极和第2漏电极， 所述第1遮光层设置于所述第1绝缘膜与所述第2绝缘膜之间，具有与所述氧化物半导体层重叠的区域， 所述光传感器装置还具有设置于所述基板上的电容元件， 所述电容元件由设置于所述第3绝缘膜上的第1电极、所述第4绝缘膜、和设置于所述第4绝缘膜上的第2电极构成， 所述第2源电极和所述第2漏电极中的一者与所述第2电极电连接， 在设置于所述基板上且设置于所述像素区域的外围的驱动电路处，还具有第3晶体管， 所述第3晶体管包括： 设置于所述基板上的第2遮光层； 设置于所述第2遮光层上的第5绝缘膜； 设置于所述第5绝缘膜上且具有与所述第2遮光层重叠的区域的第2多晶硅层； 设置于所述第2多晶硅层上的所述第1绝缘膜； 设置于所述第1绝缘膜上且具有与所述第2多晶硅层重叠的区域的第3栅电极； 设置于所述第3栅电极上的所述第2绝缘膜和所述第3绝缘膜；以及 经由设置于所述第2绝缘膜和所述第3绝缘膜的开口部而与所述第2多晶硅层电连接的第3源电极和第3漏电极。

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