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龙图腾网恭喜珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司申请的专利碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388606B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011120756.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法是由陈道坤;史波;林苡任;曾丹设计研发完成，并于2020-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法，该晶体管包括第一和第二元胞，它们共同包括漏极电极层、欧姆接触层、衬底层、外延层、层间介质层和源极电极层，第一元胞还包括第一深阱区、第二深阱区、第一浅阱区、第二浅阱区、第一源区、第二源区、第一栅氧化层和第一多晶硅栅极，第二元胞还包括第三深阱区、第四深阱区、第三浅阱区、第四浅阱区、第二栅氧化层、第三栅氧化层、第二多晶硅栅极和第三多晶硅栅极。该晶体管不但可以保证自身具有短路电流密度低、短路耐量高和短路时间长等优点，而且可以在降低体二极管正向压降的同时降低肖特基二极管的反向漏电流。

本发明授权碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管，包括交替排列的第一和第二元胞，所述第一和第二元胞共同包括层叠布置的漏极电极层、欧姆接触层、衬底层、外延层、层间介质层和源极电极层，其特征在于： 所述第一元胞还包括：第一和第二深阱区，所述第一和第二深阱区均形成在所述外延层内并与所述层间介质层相接；第一和第二浅阱区，所述第一和第二浅阱区分别形成在所述第一和第二深阱区内；第一和第二源区，所述第一和第二源区分别形成在所述第一深阱区和第二深阱区内，其中所述第一源区的数量为两个，两个所述第一源区关于所述第一浅阱区对称并均与所述第一浅阱区相接，所述第二源区的数量为两个，两个所述第二源区关于所述第二浅阱区对称并均与所述第二浅阱区相接；第一栅氧化层，所述第一栅氧化层形成在所述层间介质层内并与所述外延层、第一和第二深阱区相接；第一多晶硅栅极，所述第一多晶硅栅极也形成在所述层间介质层内且覆盖在所述栅氧化层上； 所述第二元胞包括：第三和第四深阱区，所述第三和第四深阱区均形成在所述外延层内并与所述层间介质层相接；第三和第四浅阱区，所述第三和第四浅阱区分别形成在所述第三和第四深阱区内；第二和第三栅氧化层，所述第二和第三栅氧化层均形成在所述层间介质层内，并分别覆盖在所述第三和第四深阱区上；第二和第三多晶硅栅极，所述第二和第三多晶硅栅极分别形成在所述层间介质层内，并分别覆盖在所述第二和第三栅氧化层上； 其中，所述源极电极层包括与所述第一浅阱区和第一源区均进行欧姆接触的第一沉降部，与所述第二浅阱区和第二源区均进行欧姆接触的第二沉降部、与所述第三浅阱区进行欧姆接触的第三沉降部、与所述第三深阱区、第四深阱区和外延层均进行肖特基接触的第四沉降部及与所述第四浅阱区进行欧姆接触的第五沉降部，所述第三和第四深阱区之间的间隔小于所述第一和第二深阱区之间的间隔。

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