恭喜重庆线易电子科技有限责任公司方向明获国家专利权
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龙图腾网恭喜重庆线易电子科技有限责任公司申请的专利集成超高耐压隔离电容及其控制电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334916B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011083741.2，技术领域涉及：H01L23/64；该发明授权集成超高耐压隔离电容及其控制电路是由方向明;伍荣翔;李立松设计研发完成，并于2020-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成超高耐压隔离电容及其控制电路在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种集成超高耐压隔离电容及其控制电路。超高压隔离电容位于硅衬底表面，包括第一极板、第二极板、第一介质、和第二介质。第一介质位于第一硅衬底与第一极板之间，第二介质位于第一极板和第二极板之间。第一介质由一层或多层第一组绝缘介质层堆叠组成，第二介质由一层或多层第二组绝缘介质层堆叠组成。第二组绝缘介质层的总厚度与第二组绝缘介质层厚度与相应介质层介电常数比值之和的比值，大于，第一组绝缘介质层的总厚度与第一组绝缘介质层厚度与相应介质层介电常数比值之和的比值。第一极板与位于硅衬底的控制电路相连，第二极板通过键合线与第二硅衬底耦合。
本发明授权集成超高耐压隔离电容及其控制电路在权利要求书中公布了：1.一种集成超高耐压隔离电容，其特征在于，所述隔离电容位于硅衬底表面，并且包括：第一极板、第二极板、第一介质、和第二介质；所述第一介质位于硅衬底与第一极板之间，由一层或多层第一组绝缘介质层堆叠组成，所述第二介质位于第二极板与第一极板之间，由一层或多层第二组绝缘介质层堆叠组成，并且，第二组绝缘介质层的总厚度与第二组绝缘介质层每层厚度与相应层介电常数比值之和的比值，大于，第一组绝缘介质层的总厚度与第一组绝缘介质层每层厚度与相应层介电常数比值之和的比值； 所述第二组绝缘介质层中至少有一层氮元素的含量高于所述第一组绝缘介质层中的某一层或多层绝缘介质层中氮元素的含量； 所述第一组绝缘介质层中至少有一层碳元素的含量高于所述第二组绝缘介质层中的某一层或多层绝缘介质层中碳元素的含量。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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