恭喜汉辰科技股份有限公司胡邵喻获国家专利权
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龙图腾网恭喜汉辰科技股份有限公司申请的专利一种藉由偏压电压来减少颗粒污染的装置和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112614767B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011073413.4，技术领域涉及：H01J37/317；该发明授权一种藉由偏压电压来减少颗粒污染的装置和方法是由胡邵喻设计研发完成，并于2020-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种藉由偏压电压来减少颗粒污染的装置和方法在说明书摘要公布了：本发明提供偏压电压到组件例如法拉第杯来减少颗粒产生并且阻止颗粒自组件剥离，颗粒可以是布植离子及或布植离子与组件材料的结合。偏压电压的强度必须没有明显地影响晶圆的离子布植，也必须明显地阻止自偏压组件发射的辐射及或电子。如何提供与调整偏压电压并不需要限制，额外的电压源与修改的前置放大器二者都是可行的。进一步地，由于偏压电压会改变法拉第杯所产生的电场，邻近于法拉第杯的离子束的收敛会被减少，进而极小化分析器所测量到的离子束以及法拉第杯所接收到的离子束二者间的可能差距。
本发明授权一种藉由偏压电压来减少颗粒污染的装置和方法在权利要求书中公布了：1.一种离子布植系统，包含： 一离子束产生器，配置用于产生一离子束； 一晶圆吸盘，配置用于固持一晶圆； 一法拉第杯，配置用于接收至少一部分的该离子束；以及 一电压源，电性地连接到该法拉第杯，在此该电压源配置用于当该离子束被自该离子束产生器被传导到该晶圆时施加一偏压电压到该法拉第杯； 一前置放大器，电性地连接到该法拉第杯，在此该前置放大器配置用于测量该法拉第杯的一第一电压； 一校准电路，电性地连接到该电压源与该前置放大器，在此该校准电路配置用于根据该偏压电压来调整该前置放大器的一放大程度；以及 一控制器，电性地连接到该前置放大器，在此该控制器配置用于根据该前置放大器的该放大程度来调整该离子束的一电流。
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