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龙图腾网恭喜深圳市思远半导体有限公司申请的专利一种锂电池负极保护电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112186849B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011038999.0，技术领域涉及：H02J7/00；该发明授权一种锂电池负极保护电路是由贺江平;王俊喜;孙晓良设计研发完成，并于2020-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种锂电池负极保护电路在说明书摘要公布了：本发明提供一种锂电池负极保护电路，包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、三极管、第一电阻以及第二电阻，其中，第二NMOS管至第五NMOS管之间串联连接并在串联之后与第一NMOS管相互并联，第一NMOS管的源极连接电源，第一NMOS管的漏极接地，三极管的发射极与第一NMOS管的源极连接并共同连接电源，三极管的集电极与第一NMOS管的漏极连接并共同接地，第一电阻与第三NMOS管相并联，第四NMOS管、第五NMOS管之间串联之后与第二电阻相并联。本发明提供的技术方案能进一步降低电池保护集成电路的设计成本，并提高保护电路的安全性及可靠性。

本发明授权一种锂电池负极保护电路在权利要求书中公布了：1.一种锂电池负极保护电路，其特征在于，所述电路包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、三极管、第一电阻以及第二电阻，其中，所述第二NMOS管、所述第三NMOS管、所述第四NMOS管、所述第五NMOS管之间串联连接并在串联之后与所述第一NMOS管相互并联，所述第一NMOS管的源极连接电源，所述第一NMOS管的漏极接地，所述三极管的发射极与所述第一NMOS管的源极连接并共同连接所述电源，所述三极管的集电极与所述第一NMOS管的漏极连接并共同接地，所述第一电阻与所述第三NMOS管相并联，所述第四NMOS管、所述第五NMOS管之间串联之后与所述第二电阻相并联； 所述第一NMOS管的衬底与第一组两个二极管的正极均相连，第一组两个二极管的负极分别连接所述第一NMOS管的源极和所述第一NMOS管的漏极； 所述第一NMOS管内部结构包括设置在最底层的深N阱、叠加在所述深N阱上并互相间隔的高压P阱和两个N阱、远离所述深N阱的P阱，所述高压P阱叠加在所述深N阱上的中间位置，所述两个N阱分别位于所述高压P阱的两侧并分别叠加在所述深N阱上的边缘位置，所述P阱与其中一个N阱相临近； 所述高压P阱内部包括一个P型衬底和位于所述P型衬底两侧的两个掺杂区，所述P型衬底作为所述第一NMOS管的衬底，所述两个掺杂区共同作为所述第一NMOS管的源极，所述两个N阱共同作为所述第一NMOS管的漏极，所述N阱的掺杂区和所述高压P阱的掺杂区共同作为所述第一NMOS管的栅极，远离所述深N阱的P阱接地。

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