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龙图腾网恭喜联发科技股份有限公司申请的专利运算放大器及信号放大方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112564633B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010894377.1，技术领域涉及：H03F1/26；该发明授权运算放大器及信号放大方法是由林育弘;陈冠达设计研发完成，并于2020-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本运算放大器及信号放大方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种运算放大器及信号放大方法。该运算放大器包括单级放大器和电流控制器。单级放大器被布置为接收输入信号并放大输入信号以生成输出信号，其中，单级放大器包括响应于偏置电压输入而操作的压控电流源电路。电流控制器耦接至压控电流源电路，电流控制器接收输入信号，并根据输入信号生成偏置电压输入。根据本发明的运算放大器及信号放大方法，可以实现放大器的增强的压摆率，从而改善放大器的输出。

本发明授权运算放大器及信号放大方法在权利要求书中公布了：1.一种运算放大器，包括： 单级放大器，被布置为接收输入信号并放大所述输入信号以生成输出信号，其中，所述单级放大器包括响应于偏置电压输入而操作的压控电流源电路；以及 电流控制器，耦接至所述压控电流源电路，其中所述电流控制器接收所述输入信号，并根据所述输入信号生成所述偏置电压输入； 其中，所述偏置电压输入包括第一偏置电压、第二偏置电压、第三偏置电压和第四偏置电压，所述压控电流源电路包括耦接所述第一偏置电压和所述第二偏置电压的顶部电流源以及耦接所述第三偏置电压和所述第四偏置电压的底部电流源； 其中，所述顶部电流源包括： 第一P沟道金属氧化物半导体PMOS晶体管，其栅极节点接收所述第一偏置电压，其源极节点接收第一参考电压；以及 第二PMOS晶体管，其栅极节点接收所述第二偏置电压，其源极节点接收所述第一参考电压； 其中，所述底部电流源包括： 第一N沟道金属氧化物半导体NMOS晶体管，其栅极节点接收所述第三偏置电压，其源极节点接收第二参考电压，其中所述第二参考电压低于所述第一参考电压；以及 第二NMOS晶体管，其栅极节点接收所述第四偏置电压，其源极节点接收所述第二参考电压。

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