买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜晶电科技(苏州)有限公司;单伶宝申请的专利一种太阳能电池电极及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068732B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010778552.0，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权一种太阳能电池电极及其制备方法是由单伶宝设计研发完成，并于2020-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种太阳能电池电极及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种太阳能电池电极及其制备方法，第一，在基底的正面和反面，均制备导电薄膜层；第二，在两个导电薄膜层上的部分区域均制备图形化掩膜；第三，对第二步骤中的组合体上覆盖一层不导电的保护层；第四，去除图形化掩膜及覆盖于图形化掩膜上的保护层，并在图形化掩膜的位置制备金属导电层；以及利用此方法进行太阳能电池电极的制备。本方法的制作工艺不仅成本低廉，造价便宜，而且工艺简化，减少废液排放，可达到缩短工时和降低生产成本的优势。

本发明授权一种太阳能电池电极及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，其特征在于：包括基底（1），所述基底（1）的上下两侧均设置有导电薄膜层（2），且两个所述导电薄膜层（2）上均设置图形化掩膜（3），且在所述基底（1）、导电薄膜层（2）和图形化掩膜（3）组成的组合体的周围覆盖不导电的保护层（4），且所述图形化掩膜（3）及图形化掩膜（3）上的保护层（4）能被金属导电层（5）取代，具体取代方式为：通过热水浴或热水浴超声震荡组合方式去除图形化掩膜（3）及覆盖于图形化掩膜（3）上的保护层（4），并在图形化掩膜（3）的位置制备金属导电层（5）； 所述金属导电层（5）能与导电薄膜层（2）直接接触； 所述保护层（4）为氮化硅或氧化硅中的任意一种； 所述图形化掩膜（3）的两侧为锯齿状，且所述锯齿状的R角半径不小于0.05mm； 所述金属导电层（5）为倒凸状结构； 所述基底（1）为HIT基底（1），所述导电薄膜层（2）为ITO层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人晶电科技(苏州)有限公司;单伶宝，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市中国（江苏）自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区苏州大道东278号领汇商务广场1幢808室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。