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龙图腾网恭喜普列斯半导体有限公司申请的专利LED阵列和形成LED阵列的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114556577B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080069579.0，技术领域涉及：H10H29/30；该发明授权LED阵列和形成LED阵列的方法是由A·皮诺斯;于翔;S·阿什顿;J·西普设计研发完成，并于2020-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本LED阵列和形成LED阵列的方法在说明书摘要公布了：提供一种发光二极管LED阵列前体。LED阵列前体包括具有基底表面的基底、第一LED堆、p++层、n++层和第二LED堆。第一LED堆设置在基底表面的第一部分上。第一LED堆包括多个第一III族氮化物层，多个第一III族氮化物层定义第一半导体结，第一半导体结配置为输出具有第一波长的光，其中，第一半导体结的n型侧取向为朝向基底表面。p++层设置在第一LED堆上，p++层包括III族氮化物。n++层具有对第一LED堆的p++层进行覆盖的第一部分和对基底表面的第二部分进行覆盖的第二部分，其中，在n++层和p++层之间的界面处形成隧道结，n++层包括III族氮化物。第二LED堆设置在对基底表面的第二部分进行覆盖的n++层的第二部分上。第二LED堆包括多个第二III族氮化物层，多个第二III族氮化物层定义第二半导体结，第二半导体结配置为输出具有不同于第一波长的第二波长的光，其中，半导体结的n型侧设置为朝向n++层。还提供一种制造LED阵列前体的方法。

本发明授权LED阵列和形成LED阵列的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成LED阵列前体的方法，包括： 在基底的基底表面上形成第一LED堆，所述第一LED堆包括多个第一III族氮化物层，所述多个第一III族氮化物层定义第一半导体结，所述第一半导体结配置为输出具有第一波长的光，其中，所述半导体结的n型侧取向为朝向所述基底表面； 在所述第一LED堆上形成p++层，所述p++层包括III族氮化物； 选择性地移除所述第一LED堆的部分， 在所述基底之上形成n++层以覆盖所述p++层，其中，在所述n++层和所述p++层之间的界面处形成隧道结，所述n++层包括III族氮化物； 其中，所述n++层在所述基底表面之上形成，使得所述n++层的第一部分覆盖设置在所述基底表面的第一部分上的所述第一LED堆的第一部分，并且所述n++层的第二部分覆盖所述基底的第二部分，其中所述基底的第二部分上的第一LED堆被选择性地移除； 在所述n++层上形成第二LED堆，所述第二LED堆包括多个第二III族氮化物层，所述多个第二III族氮化物层定义第二半导体结，所述第二半导体结配置为输出具有不同于所述第一波长的第二波长的光，其中，所述半导体结的n型侧设置为距所述n++层最近， 其中，所述方法还包括步骤： 选择性地移除在所述基底表面上的所述第二LED堆的部分，以定义： 所述LED阵列的第一部分，其中，所述第二LED堆被选择性地移除，所述LED阵列的第一部分包括： 所述第一LED堆的第一部分； 所述p++层的第一部分；和 所述n++层的第一部分，使得隧道结设置在所述第一LED堆的第一部分上；和 所述LED阵列的第二部分，包括： 所述n++层的第二部分；和 所述第二LED堆的第一部分，设置在所述n++层的第二部分上。

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