恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司王楠获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113851535B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010598335.3，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体器件及其形成方法是由王楠设计研发完成，并于2020-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体器件及其形成方法，其中半导体器件包括：衬底；若干鳍部，包括若干层沿所述衬底表面法线方向的沟道层；分割层，位于至少一对相邻所述鳍部之间，所述分割层与所述沟道层之间具有间隙；栅极结构，位于所述衬底上且横跨若干所述鳍部，且包围所述沟道层。由于分割层和沟道层之间具有间隙，在衬底上形成横跨鳍部的栅极结构后，栅极结构能够包围沟道层的四周，这样使得栅极结构对沟道层的控制能力得到增强，从而提升最终形成的半导体器件的性能得到提高。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 若干鳍部，包括若干层沿所述衬底表面法线方向的沟道层，若干所述鳍部沿着第一方向平行分布，所述沟道层沿着第二方向的两侧具有凹槽，在所述凹槽内形成牺牲层； 分割层，在形成伪栅结构之前，位于至少一对相邻所述鳍部之间，所述分割层与所述沟道层之间在第二方向上具有间隙；在形成所述牺牲层之后，在所述衬底上形成横跨若干所述鳍部的伪栅结构；在形成所述伪栅结构之后，刻蚀去除所述伪栅结构和所述牺牲层； 栅极结构，位于所述衬底上且横跨若干所述鳍部，且包围所述沟道层，所述栅极结构沿着所述第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向垂直。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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