恭喜硅存储技术股份有限公司H·V·特兰获国家专利权
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龙图腾网恭喜硅存储技术股份有限公司申请的专利用于人工神经网络中的模拟神经存储器的精确编程方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114651307B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080077970.5，技术领域涉及：G11C11/54；该发明授权用于人工神经网络中的模拟神经存储器的精确编程方法和装置是由H·V·特兰;S·莱姆克;V·蒂瓦里;N·多;M·雷顿设计研发完成，并于2020-05-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于人工神经网络中的模拟神经存储器的精确编程方法和装置在说明书摘要公布了：本发明公开了用于将正确的电荷量精确快速地沉积在人工神经网络中的矢量‑矩阵乘法VMM阵列内的非易失性存储器单元的浮栅上的精确编程算法和装置的多个实施方案。因此，可极精确地对所选单元进行编程，以保持N个不同值中的一个值。
本发明授权用于人工神经网络中的模拟神经存储器的精确编程方法和装置在权利要求书中公布了：1.一种对所选择的非易失性存储器单元进行编程以存储N个可能值中的一个可能值的方法，其中N是大于2的整数，所述所选择的非易失性存储器单元包括浮栅、控制栅端子、擦除栅端子和源极线端子，所述方法包括： 执行包括多个编程验证循环的第一编程过程，其中在所述第一编程验证循环之后在每个编程验证循环中将幅值递增的编程电压施加到所述所选择的非易失性存储器单元的端子，其中每个编程验证循环包括： 将第一电压施加到所述所选择的非易失性存储器单元的所述擦除栅端子和所述控制栅端子中的一者； 测量通过所述所选择的非易失性存储器单元产生的第一电流； 将第二电压施加到所述所选择的非易失性存储器单元的所述擦除栅端子和所述控制栅端子中的所述一者； 测量通过所述所选择的非易失性存储器单元产生的第二电流； 基于所述第一电压、所述第二电压、所述第一电流和所述第二电流确定斜率值；以及 基于所确定的斜率值来确定所述幅值递增的编程电压中的下一编程电压以用于下一编程验证循环。
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