恭喜台湾积体电路制造股份有限公司陈洁获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113130433B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010274040.0,技术领域涉及:H01L23/498;该发明授权半导体结构及其制作方法是由陈洁;陈宪伟设计研发完成,并于2020-04-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了:一种半导体结构,包括半导体衬底、设置在所述半导体衬底之上的内连结构及设置在所述内连结构之上的接合结构。所述接合结构包括覆盖所述内连结构的介电层、穿透所述介电层的信号传输特征及穿透所述介电层的导热特征。所述导热特征包括导热布线及导热接垫,且所述导热接垫设置在所述导热布线上并共用所述导热布线。
本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体结构,包括: 半导体衬底; 内连结构,设置在所述半导体衬底之上;以及 接合结构,设置在所述内连结构之上,所述接合结构包括覆盖所述内连结构的介电层、穿透所述介电层的多个信号传输特征及穿透所述介电层的导热特征,其中所述导热特征包括导热布线及导热接垫,且所述导热接垫设置在所述导热布线上并共用所述导热布线,且所述导热布线侧向地延伸在所述多个信号传输特征中的至少二相邻的信号传输特征之间, 其中所述内连结构包括内连配线、覆盖所述内连配线的钝化层以及被所述钝化层部分地覆盖的第一热导体,且所述导热布线的第一部分坐落在所述第一热导体上。
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