恭喜意法半导体(克洛尔2)公司B·罗德里格斯·冈卡尔维斯获国家专利权
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龙图腾网恭喜意法半导体(克洛尔2)公司申请的专利光电二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111564510B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010090938.2，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权光电二极管是由B·罗德里格斯·冈卡尔维斯;A·图尼耶设计研发完成，并于2020-02-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本光电二极管在说明书摘要公布了：本公开的各实施例涉及光电二极管。光电二极管包括第一掺杂剂类型的第一衬底层和在第一衬底层的顶部上的第二掺杂剂类型的第二衬底层。在包括第一衬底层和第二衬底层的半导体衬底中提供半导体壁。半导体壁包括：两个外半导体壁和定位在两个外半导体壁之间的至少一个内半导体壁。每个内半导体壁位于具有更长长度的两个半导体壁之间。
本发明授权光电二极管在权利要求书中公布了：1.一种光电二极管，包括： 半导体衬底，所述半导体衬底包括第一掺杂剂类型的第一衬底层、以及在所述第一衬底层的顶部上的第二掺杂剂类型的第二衬底层； 所述半导体衬底中的多个半导体壁； 其中所述多个半导体壁包括： 第一外半导体壁和第二外半导体壁，在第一方向上彼此平行延伸，所述第一外半导体壁和所述第二外半导体壁中的每个外半导体壁具有第一长度；和 多个内半导体壁，在所述第一方向上彼此平行延伸，并且被定位在所述第一外半导体壁和所述第二外半导体壁之间，所述多个内半导体壁包括： 第一内半导体壁，具有小于所述第一长度的第二长度；和 第二内半导体壁和第三内半导体壁，各自具有小于所述第二长度的第三长度，其中所述第二内半导体壁被定位在所述第一外半导体壁和所述第一内半导体壁之间，并且其中所述第三内半导体壁被定位在所述第二外半导体壁和所述第一内半导体壁之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体(克洛尔2)公司，其通讯地址为：法国克洛尔；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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