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龙图腾网恭喜硅存储技术股份有限公司申请的专利用于人工神经网络中的模拟神经存储器的测试电路和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114127854B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980098528.8，技术领域涉及：G11C29/50；该发明授权用于人工神经网络中的模拟神经存储器的测试电路和方法是由H·V·特兰;T·乌;S·特林;S·洪;A·李;S·莱姆克;N·恩古耶;V·蒂瓦里;N·多设计研发完成，并于2019-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于人工神经网络中的模拟神经存储器的测试电路和方法在说明书摘要公布了：本发明公开了在深度学习人工神经网络中用于模拟神经存储器的测试电路和方法。该模拟神经存储器包括一个或多个非易失性存储器单元阵列。可以在分选测试、鉴定测试和其它测试期间利用该测试电路和方法来验证一个或多个单元的编程操作。

本发明授权用于人工神经网络中的模拟神经存储器的测试电路和方法在权利要求书中公布了：1.一种验证编程到模拟神经非易失性存储器单元阵列中的多个非易失性存储器单元中的值的方法，其中所述阵列按行和列布置，其中每行耦合到字线，且每列耦合到位线，并且其中每一字线选择性地耦合到行解码器，且每一位线选择性地耦合到列解码器，所述方法包括： 由所述行解码器断言所述阵列中的全部字线； 由所述列解码器断言所述阵列中的位线； 由读出放大器感测从所述位线接收的电流； 由参考电流源生成参考电流，所述生成包括： i接收参考电流偏置； ii接收数字输入； iii将所述参考电流偏置镜像到多个设备中，所述多个设备中的每个设备包括第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管包括提供输出电流的第一端子、第二端子和接收启用信号的栅极，所述第二NMOS晶体管包括耦合到所述第一NMOS晶体管的第二端子的第一端子、耦合到地的第二端子、和接收所述参考电流偏置的栅极； iv通过针对被启用的设备断言所述启用信号来响应于所述数字输入而启用所述多个设备中的一个或多个设备； v通过缓冲器镜来镜像被启用的设备以生成等于由被启用的设备生成的输出电流的总和的所述参考电流；以及 将所述电流与参考电流进行比较以确定耦合到所述位线的所述非易失性存储器单元是否包含期望值。

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