恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司李庆获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利一种半导体器件的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112582336B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910936763.X，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种半导体器件的形成方法是由李庆设计研发完成，并于2019-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件的形成方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供了一种半导体器件的形成方法。在本发明实施例中，通过在介质层上方形成牺牲层，在平坦化工艺过程中，牺牲层对介质层起到保护作用，获得了较为平坦的介质层，避免介质层的表面出现凹陷的情况。
本发明授权一种半导体器件的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，所述方法包括： 提供前端器件层，所述前端器件层包括介质层； 在所述介质层上形成牺牲层，所述牺牲层的材料为无定形硅； 图案化所述介质层和牺牲层，以形成露出前端器件层的多个孔； 形成覆盖各所述孔的侧壁和所述牺牲层的阻挡层； 在所述阻挡层上形成填充各所述孔的导电层； 平坦化所述导电层，以去除所述牺牲层上的所述导电层和所述阻挡层，形成导电通孔，其中所述平坦化步骤中刻蚀所述牺牲层的速率慢于刻蚀所述导电层的速率以保护所述介质层； 去除所述牺牲层； 形成覆盖所述导电通孔的保护层；以及 形成覆盖所述导电通孔和所述介质层的电极层； 其中，所述保护层用于保护所述导电通孔不被腐蚀，并防止电子扩散。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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