恭喜台湾积体电路制造股份有限公司李昆穆获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110970493B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910894357.1，技术领域涉及：H10D64/20；该发明授权半导体装置是由李昆穆;宋学昌设计研发完成，并于2019-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：提供一种半导体装置及其制造方法。前述半导体装置包括栅极堆叠以及源极漏极区。栅极堆叠位于有源区上方。源极漏极区位于前述有源区中且邻接于前述栅极堆叠，并包括：第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层以及第四半导体层。第一半导体层具有第一锗浓度。第二半导体层位于第一半导体层上方，且具有大于第一锗浓度的第二锗浓度。第三半导体层位于第二半导体层上方，且具有大于第二锗浓度的第三锗浓度。第四半导体层位于第三半导体层上方，且具有小于第三锗浓度的第四锗浓度。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 一栅极堆叠，位于一有源区上方；以及 一源极漏极区，位于该有源区中且邻接于该栅极堆叠，该源极漏极区包括： 一第一半导体层，具有一第一锗浓度，其中该第一半导体层具有一第一硼浓度； 一第二半导体层，位于该第一半导体层上方，其中该第二半导体层具有一第二锗浓度，且该第二锗浓度大于该第一锗浓度，其中该第二半导体层具有一第二硼浓度，且该第二硼浓度大于该第一硼浓度； 一第三半导体层，位于该第二半导体层上方，其中该第三半导体层具有一第三锗浓度，且该第三锗浓度大于该第二锗浓度；以及 一第四半导体层，位于该第三半导体层上方，其中该第四半导体层具有一第四锗浓度，且该第四锗浓度小于该第三锗浓度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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