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龙图腾网恭喜慧荣科技股份有限公司申请的专利闪存控制器、闪存模块以及电子装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114694717B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210210239.6，技术领域涉及：G11C16/08；该发明授权闪存控制器、闪存模块以及电子装置是由杨宗杰设计研发完成，并于2019-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本闪存控制器、闪存模块以及电子装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电子装置，其中所述电子装置包括一闪存模块以及一闪存控制器。所述闪存模块包括至少一闪存芯片，每一闪存芯片包括多个区块，且每一区块包括多个页面，而所述闪存控制器是用来存取所述闪存模块。当所述闪存控制器发送一读取指令至所述闪存模块以请求至少一页面上的数据，所述闪存模块使用多个读取电压来读取所述至少一页面的每一记忆细胞以取得每一记忆细胞的多位信息，以及所述闪存模块将所述至少一页面的每一记忆细胞的所述多位信息传送至所述闪存控制器。本发明的闪存模块能因应一个读取指令将每一记忆细胞的多位信息输出至闪存控制器，且每一记忆细胞的多位信息可指出所述记忆细胞的临界电压或状态，因而改善读取效率。

本发明授权闪存控制器、闪存模块以及电子装置在权利要求书中公布了：1.一种电子装置，其特征在于，包括： 一闪存模块，其中所述闪存模块包括至少一闪存芯片，每一闪存芯片包括多个区块，且每一区块包括多个页面；以及 一闪存控制器，用来存取所述闪存模块； 其中当所述闪存控制器发送一读取指令至所述闪存模块以请求至少一页面上的数据，所述闪存模块使用多个读取电压来读取所述至少一页面的每一记忆细胞以取得每一记忆细胞的多位信息，以及所述闪存模块将所述至少一页面的每一记忆细胞的所述多位信息传送至所述闪存控制器； 其中所述至少一页面包括多个组块，所述多位信息包括多个最高有效位以及多个最低有效位，以及所述闪存模块依序将所述多个组块的每一记忆细胞的所述多个最高有效位传送至所述闪存控制器；接着，在所述多个组块的每一记忆细胞的所述多个最高有效位全部传送至所述闪存控制器之后，所述闪存模块才依序将所述多个组块的每一记忆细胞的所述多个最低有效位传送至所述闪存控制器。

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