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龙图腾网恭喜广东长兴半导体科技有限公司申请的专利高可靠性存储芯片封装测试方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120105982B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510595626.X，技术领域涉及：G06F30/33；该发明授权高可靠性存储芯片封装测试方法及系统是由张治强;郭东林;牛玉雷;杨师;陈宝纯设计研发完成，并于2025-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本高可靠性存储芯片封装测试方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及电子信息技术领域，揭露了一种高可靠性存储芯片封装测试方法及系统，包括：首先获取待测试存储芯片及其原始参数信息，采集封装结构数据构建三维模型并提取芯片特征数据，接着与标准参考数据对比，挖掘潜在缺陷信息，筛选可疑封装部位并监测其对环境参数的敏感度，然后据此评估故障风险类型，定位薄弱环节并检测性能，找出具体问题点，之后制定测试规划目标，明确测试手段和标准，生成测试操作指令，最后执行封装测试，采集电气性能数据验证稳定性，生成封装测试报告。本发明可以提升存储芯片的稳定性。

本发明授权高可靠性存储芯片封装测试方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种高可靠性存储芯片封装测试方法，其特征在于，所述方法包括： 获取待测试存储芯片对应的原始参数信息，并采集所述原始参数信息中的封装结构数据，基于所述封装结构数据，构建所述待测试存储芯片对应的三维模型，对所述三维模型进行特征提取，得到芯片特征数据； 将所述芯片特征数据与标准存储芯片的参考数据进行对比分析，得到差异分析数据，挖掘所述差异分析数据中的潜在缺陷信息，筛选所述潜在缺陷信息对应的可疑封装部位，并实时监测待测试存储芯片的实时工作环境参数，计算所述可疑封装部位受环境参数影响的敏感度数值，其中，所述计算所述可疑封装部位受环境参数影响的敏感度数值，包括： 利用下述公式计算所述可疑封装部位受环境参数影响的敏感度数值： 其中，表示所述可疑封装部位受环境参数影响的敏感度数值，表示环境参数对应的种类数量，表示环境参数对应的数量索引，表示第种环境参数对应的变化幅度，表示第种环境参数对可疑封装部位的影响权重系数，和分别表示评估时间段的起始时间和终止时间，表示在时间时刻所述可疑封装部位对应的性能变化函数； 基于所述敏感度数值，评估待测试存储芯片可能出现的故障风险类型，基于所述故障风险类型，定位所述待测试存储芯片封装中的薄弱环节，对所述薄弱环节进行性能检测，得到环节性能状态，查找所述环节性能状态中的具体问题点； 基于所述具体问题点，制定所述待测试存储芯片对应的测试规划目标，剖析所述测试规划目标中的测试手段，并查询所述测试手段对应的测试标准，基于所述测试标准，生成所述待测试存储芯片对应的测试操作指令； 将所述测试操作指令应用于所述待测试存储芯片后，对所述待测试存储芯片执行封装测试操作，得到封装测试芯片，采集封装测试芯片对应的电气性能数据，并对所述电气性能数据进行稳定性验证，得到验证结果数据，基于所述验证结果数据，生成所述待测试存储芯片对应的封装测试报告。

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