恭喜深圳平湖实验室支海朝获国家专利权
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龙图腾网恭喜深圳平湖实验室申请的专利半导体器件及功率设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120091622B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510560493.2，技术领域涉及：H10D84/80；该发明授权半导体器件及功率设备是由支海朝;冯思睿;王晓萍;万玉喜设计研发完成，并于2025-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及功率设备在说明书摘要公布了：本公开的半导体器件及功率设备，包括N+衬底；N‑外延层，位于N+衬底之上；驱动电路，设于N‑外延层中，驱动电路包括反相放大器和电平转换器，其中，反相放大器被配置为将第一电平信号放大后输出至电平转换器，电平转换器被配置为将放大后的第一电平信号转换为第二电平信号；垂直结型场效应晶体管，包括设于N‑外延层中的栅极和源极、以及设于N+衬底远离N‑外延层一侧的漏极；垂直结型场效应晶体管的栅极与驱动电路的输出端连接，垂直结型场效应晶体管的源极接入参考信号，垂直结型场效应晶体管的漏极与负载连接。
本发明授权半导体器件及功率设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： N+衬底； N-外延层，位于所述N+衬底之上； 驱动电路，设于所述N-外延层中，所述驱动电路包括反相放大器和电平转换器，其中，所述反相放大器被配置为将第一电平信号放大后输出至所述电平转换器，所述电平转换器被配置为将放大后的所述第一电平信号转换为第二电平信号； 垂直结型场效应晶体管，包括设于所述N-外延层中的栅极和源极、以及设于所述N+衬底远离所述N-外延层一侧的漏极；所述垂直结型场效应晶体管的栅极与所述驱动电路的输出端连接，所述垂直结型场效应晶体管的源极接入参考信号，所述垂直结型场效应晶体管的漏极与负载连接。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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