恭喜上海邦芯半导体科技有限公司周正获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海邦芯半导体科技有限公司申请的专利半导体结构制作方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120072748B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510541385.0，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构制作方法及半导体结构是由周正;涂乐义;王兆祥;梁洁;沈康;田有粮设计研发完成，并于2025-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构制作方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种半导体结构制作方法及半导体结构，方法包括：采用第一温度，在衬底上沉积第一金属薄膜层的第一部分膜层；采用第二温度，在第一部分膜层上沉积第一金属薄膜层剩余的第二部分膜层，第二温度为在第一温度至第四温度之间温度逐渐增加的第一变温温度；采用第五温度，对形成的第一金属薄膜层进行加热处理，第五温度为在第四温度至第三温度之间温度逐渐增加的第二变温温度；采用第三温度，在第一金属薄膜层上沉积第二金属薄膜层，形成相密接的同一种金属的薄膜层。本申请实施例显著提高了薄膜沉积质量，能够获得成膜均匀性高、填充能力强的金属薄膜层，且效率高。
本发明授权半导体结构制作方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构制作方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底上沉积第一金属薄膜层； 在所述第一金属薄膜层上沉积第二金属薄膜层； 其中，所述第一金属薄膜层和所述第二金属薄膜层为相密接的同一种金属的薄膜层； 先采用第一温度沉积所述第一金属薄膜层的第一部分膜层，再采用第二温度沉积所述第一金属薄膜层剩余的第二部分膜层，采用第三温度沉积所述第二金属薄膜层，所述第二温度为在所述第一温度至第四温度之间温度逐渐增加的第一变温温度，所述第四温度小于所述第三温度； 沉积所述第二金属薄膜层前，还采用第五温度对所述第一金属薄膜层进行加热处理，所述第五温度为在所述第四温度至所述第三温度之间温度逐渐增加的第二变温温度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海邦芯半导体科技有限公司，其通讯地址为：201306 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区平霄路358号7号厂房、9号厂房；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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