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龙图腾网恭喜奥卓真空设备技术(珠海)有限公司申请的专利一种纳米级分层沉积晶化ITO镀膜工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120006234B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510479678.0，技术领域涉及：C23C14/56；该发明授权一种纳米级分层沉积晶化ITO镀膜工艺是由张永胜;庄炳河;张晓鹏;伍发根;徐旻生;杨凤鸣设计研发完成，并于2025-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种纳米级分层沉积晶化ITO镀膜工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种纳米级分层沉积晶化ITO镀膜工艺，属于ITO薄膜镀膜领域。该工艺包括基片清洗、基片装载、上料、抽粗真空、基片装卸、基片预处理、ITO膜沉积与晶化分区、ITO膜分区分层沉积、ITO膜分区分层晶化、后钝化处理、破真空、基片卸载与置换等步骤。本发明提供了纳米级分层沉积和纳米级分层晶化的工艺，并通过分层沉积气氛与晶化气氛进行分区相对独立布气，实现了低温80℃下沉积高晶化、沉积高透过率ITO膜的方法。解决了各种基板（塑料、PCB、显示或半导体器件）在低温下沉积ITO晶化程度不足，透过率偏低，均匀性差等性能问题。

本发明授权一种纳米级分层沉积晶化ITO镀膜工艺在权利要求书中公布了：1.一种纳米级分层沉积晶化ITO镀膜工艺，其特征在于，包括以下步骤： S1、抽粗真空：平移站将待镀膜基片搬入进片室后，隔膜阀一关闭，对进片室进行抽粗真空； S2、基片装卸：抽粗真空完成后，真空门阀打开，待镀膜基片进入镀膜室内就位，隔膜阀二关闭，真空机械手将装载待镀膜基片安装到旋转圆鼓对应位置；旋转圆鼓移位切换后，真空机械手取下已镀膜基片经出片室破真空进入大气环境，按此循环装卸至全部镀膜基片置换完成； S3、基片预处理：基片装卸完成后，隔膜阀二和隔膜阀三关闭，旋转圆鼓开始旋转，镀膜室抽高真空，并开始用ICP离子源进行等离子清洗； S4、ITO膜沉积与晶化分区：通过分子泵排气、阴极布气和离子源布气进行真空气氛分区； S5、ITO膜分区分层沉积：基片预处理完成后，镀膜室抽高真空，抽高真空完成后进行镀膜阴极布气，ITO膜沉积在阴极前区域完成，镀膜阴极布气的气体包括：氩气、氧气或氢气；ITO膜分层沉积膜厚控制在：8~25Å之间，镀膜阴极投入功率：2~10KW之间，旋转圆鼓转速：60~120RPM之间； S6、ITO膜分区分层晶化：分层沉积的ITO纳米级薄层由旋转圆鼓转动通过ICP高能等离子区域获得能量进行后晶化；ITO晶化气氛主要包括氩气和氧气；ITO膜分区分层晶化时，离子源采用13.56MHZ的RF射频电源，投入功率：3~10KW之间； S7、后钝化处理：总膜层沉积完成后，阴极电源关闭，ICP电源继续打开，利用ICP高能等离子继续钝化膜层，提升ITO膜层品质。

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