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龙图腾网恭喜杭州极弱磁场国家重大科技基础设施研究院申请的专利一种消磁装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119964927B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510437730.6，技术领域涉及：H01F13/00；该发明授权一种消磁装置及方法是由马剑豪;陈代勇;蒋钱;周迎宾;沈恺;李江波;王朋飞设计研发完成，并于2025-04-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种消磁装置及方法在说明书摘要公布了：本发明涉及磁屏蔽技术领域，公开了一种消磁装置及方法，本发明包括：磁屏蔽装置，包括：多层屏蔽层和至少一个目标消磁空间；剩磁采集模块，包括：第一采集阵列和第二采集阵列；第一采集阵列包括多个第一传感器，多个第一传感器分别分布在多层屏蔽层的内表面和外表面；第二采集阵列包括多个第二传感器，多个第二传感器分别分布在目标消磁空间内；数据处理模块，与剩磁采集模块连接；消磁模块，与数据处理模块以及磁屏蔽装置分别连接。以磁屏蔽层的表面剩磁作为消磁程度的判定依据，能够更加精确地判断对目标消磁空间的消磁程度是否达到预期，由此可以根据目标消磁空间的消磁程度调整消磁参数，提高对磁屏蔽装置的消磁效果。

本发明授权一种消磁装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种消磁装置，其特征在于，所述装置包括： 磁屏蔽装置（1），包括：多层屏蔽层（11）和至少一个目标消磁空间（12）；多层所述屏蔽层（11）依次嵌套，所述目标消磁空间（12）位于相邻两层所述屏蔽层（11）之间； 剩磁采集模块（2），包括：第一采集阵列（21）和第二采集阵列（22）；所述第一采集阵列（21）包括多个第一传感器，多个所述第一传感器分别分布在多层所述屏蔽层（11）的内表面和外表面；所述第二采集阵列（22）包括多个第二传感器，多个所述第二传感器分别分布在所述目标消磁空间（12）内； 数据处理模块（3），与所述剩磁采集模块（2）连接；所述数据处理模块（3）用于在基于第一消磁参数对所述磁屏蔽装置（1）进行消磁后，对所述第一采集阵列（21）和所述第二采集阵列（22）采集到的剩磁数据进行处理，确定各层所述屏蔽层（11）的第一表面剩磁和各个所述目标消磁空间（12）的第一空间剩磁，并在第一空间剩磁大于目标空间剩磁，并且存在所述屏蔽层（11）的所述第一表面剩磁大于对应的最小表面剩磁时基于所述第一表面剩磁和所述最小表面剩磁，确定消磁模块（4）的第二消磁参数； 所述消磁模块（4），与所述数据处理模块（3）以及所述磁屏蔽装置（1）分别连接；所述消磁模块（4）用于基于所述数据处理模块（3）确定的所述消磁参数，对所述目标消磁空间（12）进行消磁。

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