恭喜河北同光半导体股份有限公司刘东峰获国家专利权
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龙图腾网恭喜河北同光半导体股份有限公司申请的专利具有低贯穿位错密度的碳化硅籽晶的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119932720B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510429009.2，技术领域涉及：C30B29/36；该发明授权具有低贯穿位错密度的碳化硅籽晶的制造方法是由刘东峰;郑向光;杨昆;刘新辉;路亚娟;李俊超;陈飒设计研发完成，并于2025-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有低贯穿位错密度的碳化硅籽晶的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种具有低贯穿位错密度的碳化硅籽晶的制造方法，属于半导体长晶技术领域，包括以下步骤：S1、将碳化硅晶体沿生长方向切割，获得第一晶片；S2、将第一晶片加工打磨为第一籽晶；S3、将第一籽晶竖直放置在晶体生长装置内，使第一籽晶沿其厚度方向朝向两侧生长，获得第一晶体；S4、将第一晶体沿其生长方向切割，得到固定厚度的籽晶产品。本发明提供的具有低贯穿位错密度的碳化硅籽晶的制造方法，因双面生长将单面生长需要的晶体厚度平分到两个面上，增加了可操作性，降低了长晶难度，缩短长晶时间，进而减少了因生长腔内气相生长组分不稳定导致的单晶生长后期出现微管、多型等结晶缺陷，提高了晶体质量。
本发明授权具有低贯穿位错密度的碳化硅籽晶的制造方法在权利要求书中公布了：1.具有低贯穿位错密度的碳化硅籽晶的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、将碳化硅晶体沿生长方向切割，获得第一晶片； S2、将第一晶片加工打磨为第一籽晶； S3、将第一籽晶竖直放置在晶体生长装置内，使第一籽晶沿其厚度方向朝向两侧生长，获得第一晶体； S4、将第一晶体沿其生长方向切割，得到固定厚度的籽晶产品； 在步骤S2中，将第一晶片加工切割为长方形晶片，并将长方形晶片所平行的一组表面磨抛，获取第一籽晶； 步骤S3中的晶体生长装置包括长方体结构的石墨坩埚，石墨坩埚的中线上具有纵向的安装位，安装位的中部开设贯穿孔，该贯穿孔用于安装第一籽晶；且第一籽晶伸出贯穿孔的两侧的厚度一致； 石墨坩埚的外侧具有两个对称设置的外热源，两个外热源分别位于石墨坩埚的长度方向的两端，两个外热源均与安装位平行并在石墨坩埚内形成两组相对称的热场；外热源为面热源，石墨坩埚沿其长度方向的投影位于外热源的内侧。
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