恭喜中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所王骁获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利低位错密度GaN薄膜的侧向合并外延生长方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119943652B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510433440.4，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权低位错密度GaN薄膜的侧向合并外延生长方法及应用是由王骁;徐科;张育民设计研发完成，并于2025-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本低位错密度GaN薄膜的侧向合并外延生长方法及应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低位错密度GaN薄膜的侧向合并外延生长方法及应用。所述侧向合并外延生长方法包括：提供生长基底，表面材质为掺杂GaN材质，掺杂元素包括Si；进行氮化处理使位错处自组装形成多个SiNx掩模结构；继续进行外延生长，形成低位错密度GaN薄膜。本发明在GaN材料的位错处形成Si元素的富集，通过氮化处理使得SiNx掩模结构针对性覆盖生长在位错表面，形成对位错的屏蔽遮掩，从而在接下来的GaN纵向外延生长以及侧向合并外延生长过程中避免位错延伸至GaN外延层中，由此极大程度地降低了GaN外延层中的位错密度，同时无需图案化掩模以及相应的图案化刻蚀工艺，复杂性和成本均较低，适合大规模生产应用。
本发明授权低位错密度GaN薄膜的侧向合并外延生长方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种低位错密度GaN薄膜的侧向合并外延生长方法，其特征在于，包括： 提供生长基底，所述生长基底的外延表面的材质为掺杂GaN材质，所述掺杂GaN材质中的掺杂元素包括Si，所述掺杂GaN材质中的Si元素的平均掺杂浓度为1019-1021cm3，在位错处，Si元素的局部掺杂浓度高于所述平均掺杂浓度的1-2数量级； 对所述外延表面进行氮化处理，使所述外延表面的所述位错处自组装形成多个SiNx掩模结构，所述SiNx掩模结构针对性地覆盖所述位错，所述氮化处理的温度为750-850℃，压力为100-500mbar，时间为20-30min，所述氮化处理的氮源包括NH3； 进行所述氮化处理后，继续在所述外延表面上依次进行GaN材料的纵向外延生长和侧向合并外延生长，形成所述低位错密度GaN薄膜。
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