买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉湖南融创微电子股份有限公司申请的专利具有失调电压自动校准电路的高精度动态比较器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119892081B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510365960.6，技术领域涉及：H03M1/10；该发明授权具有失调电压自动校准电路的高精度动态比较器是由谭积彬;林少波;傅祎晖设计研发完成，并于2025-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有失调电压自动校准电路的高精度动态比较器在说明书摘要公布了：本发明涉及具有失调电压自动校准电路的高精度动态比较器，采用开关电容前置放大器，使得应用于FLASHADC中的比较器不会因为共模电压的不同而导致DC参数不同，从而减小不同比较器之间的失调电压；并且采用衬底电压偏置技术，使得采样开关在导通时电阻更小，截止时电阻更大。采用失调电压自动校准电路ACC使得电路能够根据制造过程中的工艺误差自适应的调节失调电压。与传统比较器相比，采用了开关电容比较器的设计形式，使得比较器输入信号在共模电压VCM附近，保证每个比较器不会因为共模电压不同而导致的DC参数不同引起的失调电压误差，并且失调电压自动校准电路ACC使得比较器的失调电压更加小。

本发明授权具有失调电压自动校准电路的高精度动态比较器在权利要求书中公布了：1.一种具有失调电压自动校准电路的高精度动态比较器，其特征在于，包括基于栅压自举电路BTSP并采用衬底电压偏置技术设计的信号采样电路，所述信号采样电路用于对待采样的输入信号和参考信号进行采样，所述信号采样电路包括反相器INV0、反相器INV1、反相器INV2、反相器INV3、反相器INV4、反相器INV5、栅压自举电路BTSP、晶体管NMOS0、晶体管NMOS1、晶体管NMOS2、晶体管NMOS3、晶体管NMOS4、晶体管NMOS5、晶体管NMOS6、晶体管NMOS7、晶体管PMOS0、电容C0和电容C1； 所述栅压自举电路BTSP的PHI端用通过所述反相器INV0接入控制信号VSAMP，所述栅压自举电路BTSP的PHIB端用于接入所述控制信号VSAMP，所述栅压自举电路BTSP的VIN端用于接入输入信号VSIG，所述栅压自举电路BTSP的OUT端分别连接所述晶体管NMOS0的栅极和所述晶体管NMOS1的栅极； 所述晶体管NMOS0的漏极和所述晶体管NMOS1的漏极相连并用于接入输入信号VSIG，所述晶体管NMOS0的衬底极分别连接所述晶体管NMOS1的源极和所述晶体管NMOS2的漏极，所述晶体管NMOS0的源极连接所述电容C0的一端，所述晶体管NMOS2的栅极用于接入所述控制信号VSAMP，所述晶体管NMOS2的源极接地，所述晶体管NMOS3的漏极和所述晶体管PMOS0的漏极相连并用于接入参考信号VREF，所述晶体管NMOS3的源极和所述晶体管PMOS0的源极相连并连接所述电容C0的一端，所述反相器INV1、反相器INV2和反相器INV3依次串联，所述反相器INV1输入端用于接入输入信号PHIB，所述反相器INV3的输出端连接所述晶体管PMOS0的栅极，所述晶体管NMOS3的栅极连接所述反相器INV2的输出端； 所述反相器INV4和所述反相器INV5串联，所述反相器INV4的输入端用于接入输入信号NCON2，所述反相器INV5的输出端连接所述晶体管NMOS5的栅极，所述晶体管NMOS4的漏极和所述晶体管NMOS5的漏极均连接所述电容C1的一端，所述晶体管NMOS6的漏极连接所述电容C1的另一端，所述电容C1的另一端和所述电容C0的另一端用于产生采样输出，所述晶体管NMOS4的栅极连接所述反相器INV0的输出端，所述晶体管NMOS4的源极用于接入信号VSS，所述晶体管NMOS5的源极用于接入参考信号VREFN，所述晶体管NMOS6的栅极用于接入输入信号PHIB，所述晶体管NMOS6的衬底极用于接入信号VSS，所述晶体管NMOS6的源极和所述晶体管NMOS7的源极均用于接入信号VCM，所述晶体管NMOS7的漏极连接所述电容C0的另一端，所述晶体管NMOS7的衬底极用于接入信号VSS，所述晶体管NMOS7的栅极用于接入输入信号NCON2。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖南融创微电子股份有限公司，其通讯地址为：410205 湖南省长沙市长沙高新开发区尖山路18号中电软件园二期第A5栋1层101号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。