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龙图腾网获悉蓝河科技(绍兴)有限公司申请的专利氧化镓薄膜的生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119859790B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510353280.2，技术领域涉及：C23C16/40；该发明授权氧化镓薄膜的生长方法是由黄小辉;徐春阳;邢志刚;林桂荣设计研发完成，并于2025-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本氧化镓薄膜的生长方法在说明书摘要公布了：本申请属于半导体材料制备技术领域，提供一种氧化镓薄膜的生长方法，包括以下步骤：提供反应室和斜切衬底，将斜切衬底放置在反应室内；控制反应室内的温度和压力分别为第一温度和第一压力后，向反应室内通入镓源和氧源，以在斜切衬底上形成第一氧化镓层；控制反应室内的温度和压力分别为第二温度和第二压力后，向反应室内通入镓源和氧源，以在第一氧化镓层上形成第二氧化镓层；其中，第一温度大于第二温度，第一压力小于第二压力。在第一氧化镓层和第二氧化镓层的生长过程中，高温低压的生长环境利于氧化镓材料的快速二维生长，低温高压的生长环境利于氧化镓材料的应力释放，并阻碍缺陷延伸，减小位错缺陷，提高氧化镓薄膜的表面质量。

本发明授权氧化镓薄膜的生长方法在权利要求书中公布了：1.一种氧化镓薄膜的生长方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：提供反应室和斜切衬底，将所述斜切衬底放置在所述反应室内； S2：控制所述反应室内的温度为第一温度，控制所述反应室内的压力为第一压力后，向所述反应室内通入镓源和氧源，以在所述斜切衬底上形成第一氧化镓层； S3：控制所述反应室内的温度为第二温度，控制所述反应室内的压力为第二压力后，向所述反应室内通入镓源和氧源，以在所述第一氧化镓层上形成第二氧化镓层； 其中，所述第一温度为1000℃~1300℃，所述第一压力为5mbar~50mbar，所述第二温度为600℃~1000℃，所述第二压力为40mbar~100mbar； 所述第一温度与所述第二温度之间的温差不超过600℃，所述第二压力与所述第一压力之间的压差不超过95mbar，所述第一温度大于所述第二温度，所述第一压力小于所述第二压力； 所述步骤S3中所通入的镓源流量不低于所述步骤S2中所通入的镓源流量。

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