合肥沛顿存储科技有限公司吴政达获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥沛顿存储科技有限公司申请的专利倒装芯片封装结构中芯片取出再利用的工艺方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119864324B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510352097.0,技术领域涉及:H01L21/78;该发明授权倒装芯片封装结构中芯片取出再利用的工艺方法是由吴政达;高漩;廖玠诚;刘春晓;黎源;林泽源;苏柏元;赵强;李笑杰;管兵兵设计研发完成,并于2025-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本倒装芯片封装结构中芯片取出再利用的工艺方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种倒装芯片封装结构中芯片取出再利用的工艺方法,包括:(1)在载体上涂覆剥离层,将若干个倒装芯片封装结构以焊球朝上的方向贴装于剥离层上;(2)对剥离层上所有的倒装芯片封装结构进行塑封;(3)由上至下对再封装结构进行研磨或切削;(4)将再封装结构从载体上剥离,并将其切割成单个封装单元,每个封装单元中均包裹有单颗的芯片。本发明通过重新塑封、研磨或切削、剥离及切割工艺,确保了芯片的完整性和焊点的暴露,并利用残留的塑封材料对芯片进行保护,减少了材料的浪费,提高了良率;避免了酸洗产生的有害废液和激光产生的有害气体,更加绿色环保和安全;且工艺简单,适合大规模生产。
本发明授权倒装芯片封装结构中芯片取出再利用的工艺方法在权利要求书中公布了:1.倒装芯片封装结构中芯片取出再利用的工艺方法,其特征在于,包括以下步骤: (1)在载体上涂覆剥离层,将若干个倒装芯片封装结构以焊球朝上的方向并按阵列排布贴装于剥离层上,自上而下垂直地对整个剥离层进行吹风操作; (2)使用模塑材料重新塑封剥离层上的所有倒装芯片封装结构,形成第二塑封层,得到再封装结构; 其中,所述模塑材料包括以下重量份的组分:双酚F型环氧树脂30~40份、固化剂10~15份、球形填料和片状填料共40~50份、硅烷偶联剂1~2份、增韧剂3~5份、有机硅改性环氧树脂2~3份、活性稀释剂1~2份、消泡剂0.5~1份、脱气剂0.5~1份、流变剂0.5~1份;所述球形填料包括球形二氧化硅填料、球形氧化铝填料中的至少一种;所述片状填料包括片状氮化硼填料; (3)由上至下对再封装结构进行研磨或切削,去除倒装芯片封装结构中的焊球、基板和底部填充胶,直至露出芯片的焊点; (4)将再封装结构从载体上剥离,并将其切割成单个封装单元,每个封装单元中均包裹有单颗的芯片。
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