合肥晶合集成电路股份有限公司张雷获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种集成半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119866057B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510352894.9，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权一种集成半导体器件的制造方法是由张雷;马多谋设计研发完成，并于2025-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种集成半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种集成半导体器件的制造方法，属于半导体技术领域，所述制造方法包括：提供一衬底，且衬底包括高压区域、中压区域和低压区域；在衬底上形成高压栅极介质层；在高压区域和中压区域内形成阱区；去除中压区域和低压区域上的高压栅极介质层；在中压区域和低压区域上形成中压栅极介质层；在中压栅极介质层和高压栅极介质层上依次形成第一保护层和第二保护层，第一保护层和第二保护层具有刻蚀选择比；在低压区域内形成阱区；去除第二保护层和第一保护层；去除低压区域上的中压栅极介质层；在低压区域上形成低压栅极介质层。通过本发明提供的一种集成半导体器件的制造方法，能够提高中压栅极介质层的质量，提高半导体器件的良率。
本发明授权一种集成半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种集成半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，且所述衬底包括高压区域、中压区域和低压区域； 在所述衬底上形成高压栅极介质层； 以所述高压栅极介质层为离子注入缓冲层，在所述高压区域和所述中压区域内形成阱区； 去除所述中压区域和所述低压区域上的所述高压栅极介质层； 在所述中压区域和所述低压区域上形成中压栅极介质层； 在所述中压栅极介质层和所述高压栅极介质层上依次形成第一保护层和第二保护层，所述第一保护层和所述第二保护层具有刻蚀选择比； 在所述低压区域内形成阱区； 去除所述第二保护层和所述第一保护层； 去除所述低压区域上的所述中压栅极介质层；以及 在所述低压区域上形成低压栅极介质层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号