杭州谱析光晶半导体科技有限公司许一力获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利一种具有浅P+结构的SiC MOSFET器件及其制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119866038B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510347573.X，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种具有浅P+结构的SiC MOSFET器件及其制备工艺是由许一力;李鑫;刘倩倩设计研发完成，并于2025-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有浅P+结构的SiC MOSFET器件及其制备工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种具有浅P+结构的SiCMOSFET器件，包括漏极、栅极、栅氧化层以及半导体外延层，半导体外延层包括N衬底层、N漂移层、侧P+层、N阱层以及P阱层，半导体外延层的表面蚀刻有槽，其中源极通过该槽嵌设在半导体外延层内，并且源极的截面高度与半导体外延层的截面高度相同；N漂移层的内部且位于P阱层的下方还设有下覆盖P+层，下覆盖P+层与侧P+层接触。本发明通过低掺杂N层可引导电荷载流子沿着更有效的路径流动，减少电流拥挤效应，这种结构有助于增强电导调制效应，使得在高电压条件下也能维持较低的导通电阻，低掺杂N层能帮助均匀化电场分布，尤其是在高压应用中。
本发明授权一种具有浅P+结构的SiC MOSFET器件及其制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种具有浅P+结构的SiCMOSFET器件，包括漏极1、栅极2、栅氧化层3以及半导体外延层，所述半导体外延层包括N衬底层5、N漂移层6、侧P+层7、N阱层8以及P阱层9，其特征在于：所述半导体外延层的表面蚀刻有槽，其中源极4通过该槽嵌设在半导体外延层内，并且所述源极4的截面高度与半导体外延层的截面高度相同； 所述N漂移层6的内部且位于P阱层9的下方还设有下覆盖P+层10，所述下覆盖P+层10与侧P+层7接触； 所述N漂移层6的内部底侧通过离子注入形成有两个相互对称的低掺杂N层11，并且两个所述低掺杂N层11之间形成供电荷流通的敞口。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州谱析光晶半导体科技有限公司，其通讯地址为：310000 浙江省杭州市萧山区瓜沥镇航钱路168号3幢4层405(自主分割)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号