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龙图腾网获悉江苏南大光电材料股份有限公司申请的专利提高金属膜电学性能的前驱体组合物、金属膜及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119843249B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510341033.0，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权提高金属膜电学性能的前驱体组合物、金属膜及方法是由杨敏;乔玮;胡昌明;王博文设计研发完成，并于2025-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本提高金属膜电学性能的前驱体组合物、金属膜及方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种提高金属膜电学性能的前驱体组合物、金属膜及方法，前驱体组合物包括：第一浓度的前驱体，第二浓度的掺杂剂和第三浓度的溶剂。本申请通过向前驱体中添加掺杂剂，能够显著提升沉积得到的金属膜的电学性能，其中，电容密度增加了9%，介电常数增加了5%。

本发明授权提高金属膜电学性能的前驱体组合物、金属膜及方法在权利要求书中公布了：1.一种提高金属膜电学性能的前驱体组合物，其特征在于， 1）含有第一浓度的前驱体，选自以下通式1、通式2、通式3、通式4和通式5中的一个或多个组合； 【通式1】；【通式2】； 【通式3】；【通式4】； 【通式5】； 2）含有第二浓度的掺杂剂，选自以下通式6和通式7中的一种或两个组合； 【通式6】；【通式7】； 3）含有第三浓度的溶剂，所述溶剂为C1~C16的饱和或不饱和烃、酮、醚、酯、四氢呋喃、胺、硫化物、膦的有机化合物中的一种或多种组合； 在所述通式1至7中，M1为Ti、Zr或Hf，M2为Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、La或Ce，M3为Mg，M4为Al、In或Ga；M5为Si、Ge或Sn； R1至R5各自独立地选自以下基团：H、C1至C6基团； R6至R8各自独立地选自以下基团：C1至C6基团； R9至R11各自独立地选自以下基团：H、C1至C6基团； m、n、k各自独立地选自：1、2、3； L1至L4各自独立地选自由以下基团中的一个或多个组成的-1价阴离子配体:NR'2、OR'、R'Cp、脒基、β-二酮和酮亚胺，R'为H或C1至C6基团，且相邻R'可接合以形成烃基环; 其中，所述C1至C6基团为直链型、支链型或环状型基团，所述C1至C6基团为饱和型、单不饱和型或多不饱和型基团，所述C1至C6基团中任选取代有0个、1个或多个氟原子； 所述组合物的溶质中，所述第一浓度的前驱体的质量分数大于或者等于90%，所述第二浓度的掺杂剂的质量分数小于或者等于10%，且所述第二浓度的掺杂剂的浓度大于或者等于1ppt；所述第三浓度的溶剂的质量分数为0~50%。

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