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龙图腾网获悉苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司申请的专利一种高功率高效率单模半导体发光结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119834061B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510329278.1，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权一种高功率高效率单模半导体发光结构及其制备方法是由王俊;肖垚;李泉灵;高元斌;张昊;刘恒;苗霈;陆兴东;赵武设计研发完成，并于2025-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高功率高效率单模半导体发光结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种高功率高效率单模半导体发光结构及其制备方法，高功率高效率单模半导体发光结构包括：沿第一方向排布的第一布拉格反射镜和第二布拉格反射镜，第一布拉格反射镜的反射率大于第二布拉格反射镜的反射率；位于第一布拉格反射镜和第二布拉格反射镜之间沿第一方向排布的多个有源层、以及电流限制层；电流限制层包括出光区和环绕出光区的氧化区；隧道结，位于相邻的有源层之间；调制层，位于第二布拉格反射镜背离有源层的一侧，调制层包括第一微结构区和环绕第一微结构区的第二微结构区，其中，第一微结构区沿第一方向在出光区的第一部分上具有投影，第二微结构区沿第一方向在出光区的第二部分上具有投影，第二部分环绕第一部分。

本发明授权一种高功率高效率单模半导体发光结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高功率高效率单模半导体发光结构，其特征在于，包括： 沿第一方向排布的第一布拉格反射镜和第二布拉格反射镜，所述第一布拉格反射镜的反射率大于所述第二布拉格反射镜的反射率，所述第二布拉格反射镜的反射率小于或等于92%； 位于所述第一布拉格反射镜和所述第二布拉格反射镜之间沿所述第一方向排布的多个有源层、以及电流限制层；其中，所述电流限制层包括出光区和环绕所述出光区的氧化区； 隧道结，位于相邻的所述有源层之间； 调制层，位于所述第二布拉格反射镜背离所述有源层的一侧，所述调制层包括第一微结构区和环绕所述第一微结构区的第二微结构区，其中，所述第一微结构区沿所述第一方向在所述出光区的第一部分上具有投影，所述第二微结构区沿所述第一方向在所述出光区的第二部分上具有投影，所述第二部分环绕所述第一部分；所述第一微结构区沿第二方向的尺寸为所述出光区沿所述第二方向的尺寸的20%~35%；其中，所述第二方向垂直于所述第一方向； 所述第二布拉格反射镜和所述调制层的整体的反射率范围具有下限值和上限值，所述上限值和所述下限值的差值与所述上限值的比值大于或等于25%； 所述第一微结构区为第一光栅结构，所述第二微结构区为第二光栅结构，所述第一光栅结构和所述第二光栅结构具有不同的光栅周期； 或者，所述第一微结构区为实体结构，所述第二微结构区为凹槽；其中，所述半导体发光结构还包括位于所述调制层沿第二方向的侧部的正面电极层，所述凹槽位于所述第一微结构区和所述正面电极层之间，所述第二方向与所述第一方向垂直，或者，所述凹槽沿所述第一方向在所述调制层中延伸。

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