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龙图腾网获悉山东大学申请的专利一种碳化硅SBD功率器件终端结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119855169B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510322302.9，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权一种碳化硅SBD功率器件终端结构是由崔潆心;陆子成;韩吉胜;徐现刚设计研发完成，并于2025-03-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅SBD功率器件终端结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碳化硅SBD功率器件终端结构，属于器件设计技术领域。本发明的终端结构的N型掺杂4H‑SiC外延层生长于N型掺杂4H‑SiC衬底上，终端预留区域对应的N型掺杂4H‑SiC外延层厚度低于阳极金属层预留区域对应的N型掺杂4H‑SiC外延层厚度；P型掺杂4H‑SiC外延层位于N型掺杂4H‑SiC外延层表面；P型掺杂4H‑SiC外延层的终端区域刻蚀的多个第一沟槽的长度均小于第二沟槽的长度，第二沟槽刻蚀至终端区域边缘；阳极金属层位于N型掺杂4H‑SiC外延层的阳极金属层预留区域；氧化层位于P型掺杂4H‑SiC外延层上，本发明的终端结构不需要离子注入工艺，只需要通过外延和刻蚀工艺形成终端结构，具有较高终端效率且工艺成本低。

本发明授权一种碳化硅SBD功率器件终端结构在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅SBD功率器件终端结构，其特征在于，包括： 阴极金属层1； N型掺杂4H-SiC衬底2，位于所述阴极金属层1上； N型掺杂4H-SiC外延层3，外延生长于所述N型掺杂4H-SiC衬底2上，所述N型掺杂4H-SiC外延层3包括终端预留区域和阳极金属层预留区域，所述终端预留区域对应的N型掺杂4H-SiC外延层厚度小于阳极金属层预留区域对应的N型掺杂4H-SiC外延层厚度； P型掺杂4H-SiC外延层4，位于N型掺杂4H-SiC外延层3上；所述P型掺杂4H-SiC外延层4与终端预留区域对应的终端区域刻蚀有多个第一沟槽和一个第二沟槽，且所述第一沟槽的长度小于第二沟槽的长度； 阳极金属层5，位于N型掺杂4H-SiC外延层3的阳极金属层预留区域； 氧化层6，位于P型掺杂4H-SiC外延层4上； 上述碳化硅SBD功率器件终端结构的制备方法，包括以下步骤： 在N型掺杂4H-SiC衬底2上通过外延生长得到N型掺杂4H-SiC外延层3； 在N型掺杂4H-SiC外延层3的终端预留区域进行刻蚀，刻蚀角度1°～90°，刻蚀深度0.2μm～2μm； 刻蚀后的N型掺杂4H-SiC外延3上通过外延生长P型掺杂4H-SiC外延层4； 刻蚀P型掺杂4H-SiC外延层4，刻蚀角度1°～90°，刻蚀深度0.2μm～3μm；且刻蚀深度大于等于P型掺杂4H-SiC外延层4的厚度，形成N型掺杂4H-SiC外延层3的阳极金属层预留区域； 对P型掺杂4H-SiC外延层4的终端区域进行局部刻蚀，刻蚀出多个第一沟槽和一个第二沟槽； 最后依次制备阳极金属层5和氧化层6得到碳化硅SBD功率器件终端结构。

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