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龙图腾网获悉博越微电子(江苏)有限公司申请的专利一种MOS与MOM电容可视化Pcell版图生成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119862851B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510315561.9，技术领域涉及：G06F30/398；该发明授权一种MOS与MOM电容可视化Pcell版图生成方法是由徐璇;游昌盛;刘德启设计研发完成，并于2025-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MOS与MOM电容可视化Pcell版图生成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种MOS与MOM电容可视化Pcell版图生成方法，涉及集成电路技术领域。本发明通过构建仿真电路进行多次仿真，记录不同电压下MOS管的电容值变化，生成详细的容值数据表，形成与几何参数关联的Pcell参数，并集成到版图设计工具中，实现了版图中的快速计算和可视化，再定义POLYdensity的计算范围并实时计算，确保其符合工艺要求，通过选择最优的金属层次组合和调整金属面积，优化MOM电容的设计；再将MOS管电容和MOM电容的计算结果集成到Pcell中，调用Pcell参数，生成对应的电容版图，并进行设计规则检查和电路版图对比验证，确保版图符合工艺要求。

本发明授权一种MOS与MOM电容可视化Pcell版图生成方法在权利要求书中公布了：1.一种MOS与MOM电容可视化Pcell版图生成方法，其特征在于：包括如下步骤： 通过仿真电路记录1.8VMOS管在不同Vgs电压下的电容值变化，绘制曲线图，分析finger和Length与容值的线性关系； 根据仿真结果，计算不同电压下MOS管的容值变化斜率，生成基准容值C1，计算不同Length和finger下的容值C2和C，生成MOS管的容值数据表； 根据MOS管的容值数据表，与几何参数关联形成Pcell参数，进行版图中的快速计算和可视化； 根据仿真结果数据，选择Metal4及以上金属层次，结合工艺条件计算单位面积的MOM电容容值，根据设计金属面积计算整体金属容值； 根据MOS管容值和整体的金属容值，定义POLYdensity计算范围，实时计算POLYdensity，通过调整布局参数降低POLYdensity比值，判断是否符合布局CMP要求； 其中，在与几何参数关联形成Pcell参数之后，还包括：获取不同金属层次的MOM电容的容值，分析MOM电容的容值与金属层次、面积之间的关系，建立MOM电容的Pcell模型，Pcell模型包含金属层次、面积与容值的映射关系，并在版图设计时，根据MOM电容的金属层次和面积参数，采用MOM电容的Pcell模型，计算出对应的MOM电容的容值； 其中，根据设计金属面积计算整体金属容值，包括：获取Metal4及以上金属层次，抽取对应金属容值，获取与MOM电容相同工艺条件下的容值数据，结合抽取的金属容值，计算出单位面积的容值，根据MOM电容的Pcell模型中设计的金属面积，通过查表或插值方式，获取对应的单位面积容值，将金属面积与单位面积容值相乘，得到整体金属容值，再将整体金属容值作为MOM电容的参数，快速计算整体电容值，得到计算结果。

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