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龙图腾网获悉中核光电科技(上海)有限公司申请的专利具有聚合物自组装单层膜的钙钛矿电池的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119855353B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510316980.4，技术领域涉及：H10K30/50；该发明授权具有聚合物自组装单层膜的钙钛矿电池的制备方法是由郑德旭;王建华;周家驹;曹越先;吴飒建;李智鹏;黄茂华;金子怿;洪诗琪;李林峰;廖延安设计研发完成，并于2025-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有聚合物自组装单层膜的钙钛矿电池的制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种具有聚合物自组装单层膜的钙钛矿电池的制备方法，包括以下步骤：在基底上沉积透明的导电衬底，然后在导电衬底上制备空穴传输层；在空穴传输层上，形成聚合物自组装单层，且聚合物自组装单层的前驱体溶液的溶质为Poly‑4PACz，溶剂包括乙醇和二甲基亚砜；在聚合物自组装单层上进行钙钛矿前驱体材料的涂布，形成钙钛矿光吸收层；在钙钛矿光吸收层上沉积电子传输材料，形成电子传输层；在电子传输层上沉积背电极；实现单层膜均匀涂覆，为后续钙钛矿光吸收层的溶液法沉积提供了理想界面，显著改善了钙钛矿薄膜的成膜特性并钝化缺陷，提升了组件的光电性能和长期稳定性，为钙钛矿太阳能电池组件的工业化生产提供了潜在技术路线。

本发明授权具有聚合物自组装单层膜的钙钛矿电池的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有聚合物自组装单层膜的钙钛矿电池的制备方法，所述具有聚合物自组装单层膜的钙钛矿电池适用于设置在外部基底上，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一：在基底上沉积透明的导电衬底，然后在导电衬底上制备空穴传输层； 步骤二：在空穴传输层上，形成聚合物自组装单层，且聚合物自组装单层的前驱体溶液的溶质为Poly-4PACz，溶剂包括乙醇和二甲基亚砜，且Poly-4PAC通过磁力搅拌的方式溶解于乙醇和二甲基亚砜的混合溶剂中，形成聚合物溶液，且将聚合物溶液通过狭缝涂布沉积在空穴传输层上，所述狭缝涂布的速度为20mms，进行真空成膜40秒，并以100℃退火10分钟，形成聚合物自组装单层膜； 步骤三：在聚合物自组装单层上进行钙钛矿前驱体材料的涂布，并以150℃退火10分钟，形成钙钛矿光吸收层； 步骤四：在钙钛矿光吸收层上沉积电子传输材料，形成电子传输层； 步骤五：在电子传输层上沉积背电极； 所述乙醇和二甲基亚砜的体积比为0.5:1。

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