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龙图腾网获悉浙江图音电子技术有限公司申请的专利用于微流控工艺的微沟道图案、钙钛矿晶体管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119819393B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510300065.6，技术领域涉及：B01L3/00；该发明授权用于微流控工艺的微沟道图案、钙钛矿晶体管及制备方法是由辛斌设计研发完成，并于2025-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于微流控工艺的微沟道图案、钙钛矿晶体管及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于微流控工艺的微沟道图案、钙钛矿晶体管及制备方法，微沟道图案包括：主通道和若干分支通道，其中，若干分支通道间隔分布在主通道的侧边；每个分支通道包括导流通道、缓冲区域和结晶区域，导流通道、缓冲区域和结晶区域依次连通且导流通道与主通道连通；沿液体流动方向，导流通道的宽度逐渐变窄，缓冲区域的宽度逐渐变窄且圆弧过渡至结晶区域，缓冲区域的面积大于结晶区域的面积。该微沟道图案可以在不降低钙钛矿材料性能的基础上实现钙钛矿材料的高精度定位生长，具有精度高、成本低且可以量产的优势。

本发明授权用于微流控工艺的微沟道图案、钙钛矿晶体管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种钙钛矿晶体管的制备方法，其特征在于，包括步骤： 在第一掺杂类型衬底21的表面依次生长第一掺杂类型外延层22和第二掺杂类型外延层23； 在所述第二掺杂类型外延层23的表层中形成第二掺杂类型区域24和间隔分布在所述第二掺杂类型区域24中的若干第一掺杂类型区域25，同时形成对准标记； 基于对准标记，利用微沟道图案在所述第二掺杂类型区域24和所述若干第一掺杂类型区域25进行刻蚀，制备延伸至所述第一掺杂类型外延层22内部的沟槽，形成微沟道26，其中，所述微沟道图案包括：主通道11和若干分支通道12，所述若干分支通道12间隔分布在所述主通道11的侧边；每个所述分支通道12包括导流通道121、缓冲区域122和结晶区域123，所述导流通道121、所述缓冲区域122和所述结晶区域123依次连通，且所述导流通道121与所述主通道11连通；沿液体流动方向，所述导流通道121的宽度逐渐变窄，所述缓冲区域122的宽度逐渐变窄且圆弧过渡至所述结晶区域123，所述缓冲区域122的面积大于所述结晶区域123的面积；所述微沟道图案的主通道11形成在所述第二掺杂类型区域24，每个分支通道12的结晶区域123形成在所述第一掺杂类型区域25； 采用剥离工艺制备与若干第一掺杂类型区域25一一对应的若干金属层，形成若干源电极28，其中，每个所述源电极28覆盖所述第一掺杂类型区域25的部分表面和所述第二掺杂类型区域24的部分表面； 在所述第一掺杂类型衬底21的另一表面生长漏电极29； 采用微流控工艺，通过所述微沟道在所述结晶区域123制备钙钛矿纳米结晶27。

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