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龙图腾网获悉上海瞻芯电子科技股份有限公司申请的专利一种沟槽栅功率MOSFET的结构及沟槽栅功率MOSFET制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119835982B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510303948.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种沟槽栅功率MOSFET的结构及沟槽栅功率MOSFET制造方法是由陈思哲;仲雪倩;黄海涛;陈伟;张永熙设计研发完成，并于2025-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种沟槽栅功率MOSFET的结构及沟槽栅功率MOSFET制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种沟槽栅功率MOSFET的结构及沟槽栅功率MOSFET制造方法，所述结构包括：第二外延层；条形P柱，条形P柱的长度方向平行于沟道效应最明显的晶向在外延材料表面的投影方向；沟槽栅，包括沟槽，沟槽平行于条形P柱的长度方向或者垂直于条形P柱的长度方向，并向沟槽中填入填充物从而制造出沟槽栅，当沟槽的长度方向平行于条形P柱的长度方向时，沟槽位于条形P柱的正上方，且宽度与条形P柱的宽度一致，当沟槽的长度方向垂直于条形P柱的长度方向时，沟槽的宽度与条形P柱不相关；表面源极区域。本申请的优点在于，可以减少制造步骤，简化加工工艺。

本发明授权一种沟槽栅功率MOSFET的结构及沟槽栅功率MOSFET制造方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽栅功率MOSFET的结构，其特征在于，包括衬底、第一外延层、P体区，还包括： 第二外延层，所述第二外延层采用离子注入的方式形成于所述第一外延层的上部，且在所述第一外延层上的正投影完全覆盖所述第一外延层，或者仅覆盖预定为芯片的有源区的区域，所述P体区位于所述第二外延层的中上部； 条形P柱，所述条形P柱的长度方向平行于沟道效应最明显的晶向在外延材料表面的投影方向，所述条形P柱的深度穿透所述P体区，接近或者超过所述第二外延层； 沟槽栅，包括沟槽，垂直于所述条形P柱的长度方向，所述沟槽的深度穿透所述P体区到达所述第二外延层，并向所述沟槽中填入填充物从而制造出所述沟槽栅； 表面源极区域，位于所述P体区的表层，并进一步包括表面N++区域和表面P++区域，所述表面N++区域和所述表面P++区域间隔设置，其长度方向垂直于所述沟槽的长度方向，当所述沟槽的长度方向垂直于所述条形P柱的长度方向时，所述条形P柱的宽度与所述表面P++区域的宽度一致，且所述表面P++区域与所述条形P柱电连通； 其中， 先沿着外延材料沟道效应最明显的晶向进行P型离子注入，从而形成所述条形P柱，然后进行栅极沟槽刻蚀得到所述沟槽，并且随后在所述沟槽的底部表面再次进行离子注入，从而形成槽底保护区。

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