华南理工大学唐本忠获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利含八元氮杂稠环的有机半导体材料及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119798268B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510295652.0，技术领域涉及：C07D487/22；该发明授权含八元氮杂稠环的有机半导体材料及其制备方法与应用是由唐本忠;王志明;李保玺;曲亚东;张翰设计研发完成，并于2025-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本含八元氮杂稠环的有机半导体材料及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种含八元氮杂稠环的有机半导体材料及其制备方法与应用。本发明的含八元氮杂稠环的有机半导体材料的结构式为式（I）‑式（IX）。本发明的含八元氮杂稠环的有机半导体材料可作为有机发光二极管中的发光材料使用，兼具高效深蓝光发射和窄半峰宽的特性，从而得到光电性能优异的有机电致发光器件，并最终实现有机电致发光在超高清显示领域上的应用。
本发明授权含八元氮杂稠环的有机半导体材料及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种含八元氮杂稠环的有机半导体材料，其特征在于，结构式如下： 其中，Z各自独立为C-R1或N，R1各自独立选自氢原子、氘原子、氚原子、卤素原子、醛基、C1-C20烷基； X是硼-R7； R7选自氢原子、氘原子、氚原子、卤素原子、醛基、C1-C20烷基、C2-C40烯基、C1-C40烷氧基、C3-C60环烷基、C6~C60芳基。
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