西安电子科技大学;西安电子科技大学杭州研究院周久人获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学;西安电子科技大学杭州研究院申请的专利一种基于超晶格结构的氧化铪基铁电晶相调制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119781192B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510268391.3，技术领域涉及：G02F1/05；该发明授权一种基于超晶格结构的氧化铪基铁电晶相调制方法是由周久人;李开轩;郑思颖;刘宁;刘艳;韩根全;郝跃设计研发完成，并于2025-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于超晶格结构的氧化铪基铁电晶相调制方法在说明书摘要公布了：一种基于超晶格结构的氧化铪基铁电晶相调制方法，将氧化铪基铁电薄膜中的每个氧化铪层设计为由m个氧化铪子层堆叠而成，每个掺杂元素层设计为由n个掺杂元素子层堆叠而成；氧化铪层与掺杂元素层堆叠形成超晶格结构，通过确定m和n的取值，调制氧化铪基铁电晶相为o相占主导、t相占主导或ot混合相，方法如下：以体积计，当o相含量大于60%时，为o相占主导，2≤m≤10，n=1.5×m；当t相含量大于60%时，为t相占主导，20≤m≤30，n=2.5×m；当o相含量与t相含量相差不超过20%时，为ot混合相，10＜m＜20，n=2×m；其中m为偶数。本发明可实现氧化铪基铁电薄膜的晶相可调制、极低漏电及高可靠性。
本发明授权一种基于超晶格结构的氧化铪基铁电晶相调制方法在权利要求书中公布了：1.一种基于超晶格结构的氧化铪基铁电晶相调制方法，其特征在于，氧化铪基铁电薄膜由k个氧化铪层（2）和k个掺杂元素层（3）堆叠组成，将氧化铪基铁电薄膜中的每个氧化铪层（2）设计为由m个氧化铪子层堆叠而成，每个掺杂元素层（3）设计为由n个掺杂元素子层堆叠而成；所述氧化铪层（2）与掺杂元素层（3）堆叠形成所述超晶格结构； 所述晶相调制是通过确定m和n的取值，从而调制氧化铪基铁电晶相为o相占主导、t相占主导或ot混合相，方法如下： 以体积计，当o相含量大于60%时，为o相占主导，2≤m≤10，n=1.5×m；当t相含量大于60%时，为t相占主导，20≤m≤30，n=2.5×m；当o相含量与t相含量相差不超过20%时，为ot混合相，10＜m＜20，n=2×m；其中，m为偶数。
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