南昌凯捷半导体科技有限公司陈宝获国家专利权
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龙图腾网获悉南昌凯捷半导体科技有限公司申请的专利一种反极性LED芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119698147B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510212893.4，技术领域涉及：H10H20/841；该发明授权一种反极性LED芯片及其制作方法是由陈宝;孙岩;段守鑫;戴文;李俊承设计研发完成，并于2025-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种反极性LED芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种反极性LED芯片及其制作方法。反极性LED芯片包括从下至上依次设置的图案化硅衬底、反射镜覆盖层、二氧化硅整平层、透明导电粘合胶层、窗口层、P型叠层、发光层和N型叠层；所述图案化硅衬底的上表面具有若干个圆台状凸起；所述反射镜覆盖层覆盖设置于所述图案化硅衬底具有圆台状凸起一侧的整个表面，所述二氧化硅整平层下表面设置有若干个通孔，所述通孔与所述反射镜凸面部相套合，所述反射镜凸面部的上端面与所述透明导电粘合胶层下表面直接接触并形成电连接。本申请提供的反极性LED芯片的制备方法，制作工序简单、制作成本低，反极性LED芯片性能可靠稳定。
本发明授权一种反极性LED芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种反极性LED芯片，其特征在于，包括从下至上依次设置的图案化硅衬底、反射镜覆盖层、二氧化硅整平层、透明导电粘合胶层、窗口层、P型叠层、发光层和N型叠层； 所述图案化硅衬底的上表面具有若干个圆台状凸起； 所述反射镜覆盖层覆盖设置于所述图案化硅衬底具有圆台状凸起一侧的整个表面，使得所述反射镜覆盖层在所述图案化硅衬底上形成反射镜平面部以及反射镜凸面部； 所述二氧化硅整平层具有若干通孔，所述通孔与所述反射镜凸面部相套合，所述二氧化硅整平层的上表面与所述反射镜圆台面的上表面齐平； 所述反射镜凸面部的上端面与所述透明导电粘合胶层下表面直接接触并形成电连接。
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