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龙图腾网获悉深圳天狼芯半导体有限公司申请的专利一种新型屏蔽栅MOSFET结构及其制备方法、芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584593B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510136685.0，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权一种新型屏蔽栅MOSFET结构及其制备方法、芯片是由李金耀设计研发完成，并于2025-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种新型屏蔽栅MOSFET结构及其制备方法、芯片在说明书摘要公布了：本申请属于功率器件技术领域，提供了一种新型屏蔽栅MOSFET结构及其制备方法、芯片，在N型漂移区的凹槽内设置复合介电材料层和屏蔽栅多晶硅层，由复合介电材料层隔离屏蔽栅多晶硅层与N型漂移区凹槽的底部和两侧壁，并且，该复合介电材料层包括第一介电材料层和第二介电材料层，第一介电材料层与N型漂移区接触，通过在靠近N型漂移区的一侧设置介电常数较低的第一介电材料层，在靠近屏蔽栅多晶硅层的一侧设置介电常数较高的第二介电材料层，利用第二介电材料层的高介电常数特性，能够实现更厚的屏蔽栅氧化层的情况下达到相同的辅助耗尽效果，从而增强屏蔽栅底部的击穿电压，同时，由于辅助耗尽作用接近，对器件的导通电阻的影响较低。

本发明授权一种新型屏蔽栅MOSFET结构及其制备方法、芯片在权利要求书中公布了：1.一种新型屏蔽栅MOSFET结构，其特征在于，包括： N型衬底； N型漂移区，所述N型漂移区为凹形结构； 复合介电材料层和屏蔽栅多晶硅层，所述复合介电材料层用于隔离所述屏蔽栅多晶硅层与所述N型漂移区凹槽的底部和两侧壁；其中，所述复合介电材料层包括第一介电材料层和第二介电材料层，所述第一介电材料层的介电常数小于所述第二介电材料层的介电常数，所述第一介电材料层与所述N型漂移区接触； 栅极介电材料层、控制栅多晶硅层，所述栅极介电材料层设置于所述N型漂移区的凹槽内，且所述栅极介电材料层包裹所述控制栅多晶硅层； 第一P型基区、第二P型基区，所述第一P型基区和所述第二P型基区呈L形结构，分别设置于所述N型漂移区的两侧部； 第一N型掺杂区、第二N型掺杂区，所述第一N型掺杂区位于L形结构的所述第一P型基区的水平部上，且与所述栅极介电材料层接触，所述第二N型掺杂区位于L形结构的所述第二P型基区的水平部上，且与所述栅极介电材料层接触； 源极层，与所述第一N型掺杂区、第二N型掺杂区、第一P型基区以及第二P型基区接触，且与所述屏蔽栅多晶硅层接触； 漏极层，所述漏极层设置于所述N型衬底的背面；所述第一介电材料层和所述第二介电材料层为阶梯形结构，所述第二介电材料层的厚度由所述漏极层向所述源极层的方向上逐渐减小，所述第一介电材料层的厚度变化随所述第二介电材料层的厚度变化而变化，使得不同深度的所述第一介电材料层与所述第二介电材料层之间的厚度差相同； 所述屏蔽栅多晶硅层为阶梯形结构，所述屏蔽栅多晶硅层的宽度由所述漏极层向所述源极层的方向上逐渐增加。

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