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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所;潍坊先进光电芯片研究院申请的专利基于准PT对称的半导体激光器巴条及光谱合束装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119362162B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411933543.9，技术领域涉及：H01S5/40；该发明授权基于准PT对称的半导体激光器巴条及光谱合束装置是由郑婉华;高梓杰;王宇飞;张伟桥;傅廷;孟令谦;周旭彦设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于准PT对称的半导体激光器巴条及光谱合束装置在说明书摘要公布了：本公开提供了一种基于准PT对称的半导体激光器巴条，应用于半导体领域，包括：多个水平紧密排列的准PT对称半导体激光器单管，且多个准PT对称半导体激光器单管发射的激光之间均不存在耦合；准PT对称半导体激光器单管包括依次设置的N型电极、N型衬底层、N型波导盖层、N型波导层、交替分布的势垒层和势阱层、P型波导层、P型波导盖层P型接触层、P型绝缘层和P型电极；其中，P型波导层、P型波导盖层和P型接触层上具有一脊波导区。本公开还提供了一种光谱合束装置。通过光学透镜和光栅将巴条上每个半导体激光器激射的独立光合成为波长分布间隔均匀的一束光，实现较大功率的激光输出，提升半导体激光器巴条的侧向光束质量。

本发明授权基于准PT对称的半导体激光器巴条及光谱合束装置在权利要求书中公布了：1.一种基于准PT对称的半导体激光器巴条，其特征在于，包括多个准PT对称半导体激光器单管（2），所述多个准PT对称半导体激光器单管（2）水平紧密排列，且所述多个准PT对称半导体激光器单管（2）发射的激光之间均不存在耦合； 所述准PT对称半导体激光器单管（2）包括依次设置的N型电极（4）、N型衬底层（5）、N型波导盖层（6）、N型波导层（7）、交替分布的势垒层（8）和势阱层（9）、P型波导层（10）、P型波导盖层（11）、P型接触层（12）、P型绝缘层（13）和P型电极（14）； 其中，所述P型波导层（10）、所述P型波导盖层（11）和所述P型接触层（12）上具有一脊波导区（3）； 所述脊波导区（3）包括波导阵列，所述波导阵列中的波导的分布方式为对称分布或非对称分布； 所述波导阵列中的波导包括增益波导（31）和损耗波导（32），所述增益波导和损耗波导共同作用使所述准PT对称半导体激光器单管（2）的复折射率在侧向形成准PT对称分布，在施加电流的情况下可使所述准PT对称发生破缺，实现每个所述准PT对称半导体激光器单管（2）的单侧模激光输出； 所述增益波导（31）为所述P型绝缘层（13）在所述P型接触层（12）上未完全覆盖的部分； 所述损耗波导（32）为所述P型绝缘层（13）在所述P型接触层（12）上完全覆盖的部分。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院半导体研究所;潍坊先进光电芯片研究院，其通讯地址为：100083 北京市海淀区清华东路甲35号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。