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龙图腾网获悉北京芯力技术创新中心有限公司申请的专利基于玻璃转接板的半导体器件制造方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119673865B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411812017.7，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权基于玻璃转接板的半导体器件制造方法及半导体器件是由王阳;刘括设计研发完成，并于2024-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于玻璃转接板的半导体器件制造方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于玻璃转接板的半导体器件制作方法及半导体器件，该方法包括：步骤S1，在硅衬底上堆叠形成多个金属图形层，所述多个金属图形层彼此电连接且厚度在0.05μm至15μm的范围内；步骤S2，将所述硅衬底上的具有所述多个金属图形层的一面与TGV玻璃片面对面键合，所述TGV玻璃片厚在20μm至2000μm的范围内；步骤S3，将所述硅衬底去除，并将所述TGV玻璃片的玻璃层厚度减薄到15μm至1900μm。利用本发明，能够完成高密度金属互联的玻璃转接板的制作，获得玻璃+硅层+介电层的特征结构，实现所有工艺均能与硅基Fab兼容，从而完成玻璃转接板上面的更精细的金属互联结构。

本发明授权基于玻璃转接板的半导体器件制造方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种基于玻璃转接板的半导体器件制作方法，其特征在于，该方法包括： 步骤S1，采用大马士革工法以关键尺寸由大到小的顺序依次在硅衬底上堆叠形成多个金属图形层，所述多个金属图形层彼此电连接且厚度在0.05μm至15μm的范围内； 步骤S2，利用低压化学气相沉积法或者采用硅外延化学气相沉积法在TGV玻璃片的正反面上分别生长厚度范围为0.05μm-300μm的硅层，将所述硅衬底上的具有所述多个金属图形层的一面与所述TGV玻璃片面对面键合，其中，所述TGV玻璃片厚在20μm至2000μm的范围内； 步骤S3，将所述硅衬底去除，并将所述TGV玻璃片的玻璃层厚度减薄到15μm至1900μm，其中， 在所述步骤S1中，按TM2、TM1、M5、M4、M3、M2、M1的顺序形成所述多个金属图形层中的各个金属图形层， 在所述步骤S2中，所述硅衬底与所述TGV玻璃片的键合采用阳极键合或混合键合方式，将所述硅衬底连接电源正极，将所述TGV玻璃片连接电源负极，施加电压500V至1000V，并且保持加热温度为300℃至500℃。

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