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广东长兴半导体科技有限公司张治强获国家专利权

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龙图腾网获悉广东长兴半导体科技有限公司申请的专利基于引线键合实现存储芯片的封装方法及系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119650438B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411742733.2,技术领域涉及:H01L21/50;该发明授权基于引线键合实现存储芯片的封装方法及系统是由张治强;卢冠华;郭东林;陈宝纯设计研发完成,并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

基于引线键合实现存储芯片的封装方法及系统在说明书摘要公布了:本发明涉及芯片封装技术领域,揭露了一种基于引线键合实现存储芯片的封装方法及系统,包括:对存储芯片进行前端加工处理,得到目标存储芯片;评测目标存储芯片对应的期望应用性能,计算目标存储芯片和引线键合材料之间的键合适配系数,从引线键合材料中筛选出对应的最适键合材料;采集目标存储芯片对应的芯片初始图像,在芯片焊点中识别出引线键合原点、引线键合端点及中间焊点,计算中间焊点对应的焊点圆形度;从中间焊点中确定出最优焊点,规划出目标存储芯片对应的引线键合路径,分析最优焊点中每个焊点对应的物理表征属性;执行对目标存储芯片的键合封装处理,得到封装存储芯片。本发明主要目的在于解决存储芯片的封装质量降低的问题。

本发明授权基于引线键合实现存储芯片的封装方法及系统在权利要求书中公布了:1.一种基于引线键合实现存储芯片的封装方法,其特征在于,所述方法包括: 获取待处理的存储芯片和其对应的芯片规格数据,结合所述芯片规格数据和预设的规格阈值,对所述存储芯片进行前端加工处理,得到目标存储芯片; 查询所述目标存储芯片对应的芯片应用场景和引线键合材料,根据所述芯片应用场景,评测所述目标存储芯片对应的期望应用性能,基于所述期望应用性能,计算所述目标存储芯片和所述引线键合材料之间的键合适配系数,基于所述键合适配系数,从所述引线键合材料中筛选出对应的最适键合材料; 采集所述目标存储芯片对应的芯片初始图像,标记所述芯片初始图像中的芯片焊点,根据预设的键合要求,在所述芯片焊点中识别出引线键合原点、引线键合端点及中间焊点,基于所述芯片初始图像,计算所述中间焊点对应的焊点圆形度; 根据所述焊点圆形度,从所述中间焊点中确定出最优焊点,结合所述引线键合原点、所述引线键合端点及所述最优焊点,规划出所述目标存储芯片对应的引线键合路径,根据所述芯片初始图像,分析所述最优焊点中每个焊点对应的物理表征属性,基于所述物理表征属性,设置所述目标存储芯片对应的键合工艺参数; 结合所述引线键合路径、所述最适键合材料及所述键合工艺参数,执行对所述目标存储芯片的键合封装处理,得到封装存储芯片。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人广东长兴半导体科技有限公司,其通讯地址为:523808 广东省东莞市松山湖园区科技九路2号2栋101室、201室、301室、501室;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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