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龙图腾网获悉无锡中微晶园电子有限公司申请的专利一种基于悬臂梁-中心双质量块结构的SOI高温MEMS压阻式压力传感器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119018848B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411485673.0，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种基于悬臂梁-中心双质量块结构的SOI高温MEMS压阻式压力传感器的制备方法是由杨杰;王涛;崔祯;王梓阳;张春阳;张辉;张可可;孙建洁;吴建伟设计研发完成，并于2024-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于悬臂梁-中心双质量块结构的SOI高温MEMS压阻式压力传感器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于悬臂梁‑中心双质量块结构的SOI高温MEMS压阻式压力传感器的制备方法，属于MEMS领域。本发明在传统的MEMS压阻式压力传感器的膜片结构设计基础上，巧妙结合悬臂梁‑中心双质量块结构，在悬臂梁的正反面分别设计了对称的中心质量块结构。这种悬臂梁‑中心双质量块创新结构设计可以在相同压力下产生更大的梁端形变，提高传感器的灵敏度和信号强度；通过对称设计平衡了温度引起的应力变化，减小温度变化对传感器性能的影响，大大降低温度漂移，提升其在高温环境下的稳定性，使得传感器在高温下表现出优异的机械和电学性能；中心双质量块的引入不仅增加了结构的质量，还改善传感器的动态响应特性，使其在动态压力测量中具有更好的表现。

本发明授权一种基于悬臂梁-中心双质量块结构的SOI高温MEMS压阻式压力传感器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于悬臂梁-中心双质量块结构的SOI高温MEMS压阻式压力传感器的制备方法，其特征在于，包括： 第一步：提供N100、顶层硅厚度1.5µm~100µm、中间氧化层厚度0.2µm~1.2µm、衬底硅厚度350µm~420µm、双抛SOI衬底材料片，在炉管内通过热氧化工艺，在SOI衬底材料片正面与背面分别生长二氧化硅层； 第二步：进行N型隔离阻挡结构光刻工艺，带胶注入，去除光刻胶； 第三步：进行P型压敏电阻条结构光刻工艺，带胶注入，去除光刻胶； 第四步：进行P型互联结构光刻工艺，带胶注入，去除光刻胶； 第五步：在炉管内通过低压化学气相沉积工艺，在器件正面与背面依次淀积二氧化硅层与氮化硅层，进行退火工艺；进行接触孔结构光刻，干法刻蚀正面的二氧化硅层与氮化硅层，去除光刻胶； 第六步：进行光刻胶涂胶工艺，高温金属材料层蒸发工艺镀膜，剥离光刻胶，形成金属互联结构；或者，高温金属材料层溅射工艺，光刻胶光刻工艺，金属互联结构刻蚀工艺，去除光刻胶； 第七步：通过等离子增强化学气相沉积工艺在器件正面淀积钝化保护层，进行钝化保护层光刻工艺，钝化保护层结构干法刻蚀工艺，去除光刻胶；进行合金工艺； 第八步：进行正面悬臂梁-中心双质量块结构光刻工艺，介质层干法刻蚀工艺；SOI顶层硅KOH湿法腐蚀，腐蚀温度为70℃~80℃，湿法腐蚀后顶层硅留膜厚度取决于MEMS压力传感器产品的压力量程需求；去除光刻胶； 第九步：正面涂保护胶；背面介质层光刻工艺，背面介质层干法刻蚀工艺，去除光刻胶；背腔深槽结构光刻工艺，背腔深槽结构第一次干法刻蚀，刻蚀出背面中心质量块结构高度差，高度差5µm~200µm，干法刻蚀工艺采用SitoSiO2高选择比150:1~220:1的深反应离子刻蚀，刻蚀气体选用气体六氟化硫；去除光刻胶； 第十步：背腔深槽结构第二次干法刻蚀，干法刻蚀工艺采用SitoSiO2高选择比150:1~220:1的深反应离子刻蚀，刻蚀气体选用气体六氟化硫；SOI中间氧化层湿法刻蚀工艺，BOE腐蚀速率100nmmin~1000nmmin，检查背腔腔体腐蚀面出现脱水状态，表明二氧化硅层被去除干净；去除光刻胶；去除正面保护胶；完成基于悬臂梁-中心双质量块结构的SOI高温MEMS压阻式压力传感器的制备。

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