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龙图腾网获悉河北同光半导体股份有限公司申请的专利一种使用偏向籽晶生长制作碳化硅衬底的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119265696B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411453349.0，技术领域涉及：C30B23/02；该发明授权一种使用偏向籽晶生长制作碳化硅衬底的方法是由闫猛;郑向光;杨昆;刘新辉;路亚娟;赵文泽;刘芳;刘东峰设计研发完成，并于2024-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种使用偏向籽晶生长制作碳化硅衬底的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种使用偏向籽晶生长制作碳化硅衬底的方法，属于碳化硅晶体生长技术领域，所述使用偏向籽晶生长制作碳化硅衬底的方法包括如下步骤：S10：使用偏角大于4°的籽晶作为拼接籽晶，在所述拼接籽晶的外缘取两个切割点，以两个所述切割点的连线为切割轨迹，沿所述切割轨迹切割所述拼接籽晶，取切割后体积较小的部分为拼接部；S20：取偏角为4°的籽晶作为被拼接籽晶，将所述拼接部拼接在所述被拼接籽晶外周作为生长籽晶；S30：将所述生长籽晶置于生长装置中进行生长，直至在生长籽晶的轴向上长出晶锭；S40：对所述晶锭进行滚圆处理，直至将小面滚掉并呈圆柱形，将圆柱形的晶锭裁切为晶片后作为碳化硅衬底使用。

本发明授权一种使用偏向籽晶生长制作碳化硅衬底的方法在权利要求书中公布了：1.一种使用偏向籽晶生长制作碳化硅衬底的方法，其特征在于，包括如下步骤： S10：使用偏角大于4°的籽晶作为拼接籽晶，在所述拼接籽晶的外缘取两个切割点，以两个所述切割点的连线为切割轨迹，所述切割轨迹不过所述拼接籽晶的圆心，沿所述切割轨迹切割所述拼接籽晶，使所述拼接籽晶的部分外周面分离，取切割后体积较小的部分为拼接部； S20：取偏角为4°的籽晶作为被拼接籽晶，将所述拼接部拼接在所述被拼接籽晶的外周作为生长籽晶； S30：将所述生长籽晶置于生长装置中进行生长，直至在生长籽晶的轴向上长出晶锭，所述拼接部在所述晶锭上长出小面； S40：对所述晶锭进行滚圆处理，直至将小面滚掉并呈圆柱形，将圆柱形的晶锭裁切为晶片后作为碳化硅衬底使用； 所述切割轨迹为直线且平行于所述拼接籽晶的径向； 所述拼接部拼接在所述被拼接籽晶的外周的具体步骤为： 将所述被拼接籽晶的外周进行切割，以形成与所述拼接部对应切割轨迹的面相等的拼接面； 将所述拼接部拼接在所述拼接面上，所述拼接部的外周面与所述被拼接籽晶的外周面连续且相切。

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