睿思威半导体科技(苏州)有限公司王君获国家专利权
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龙图腾网获悉睿思威半导体科技(苏州)有限公司申请的专利一种基于负压系统下的上电复位电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223053008U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422252786.8，技术领域涉及：H03K17/22；该实用新型一种基于负压系统下的上电复位电路是由王君;唐祺设计研发完成，并于2024-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于负压系统下的上电复位电路在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种基于负压系统下的上电复位电路，包括提供负压的端口VDD和0V的端口VSS，所述端口VDD与端口VSS之间串接与复位端口POR连接的瞬态反向电路；所述端口VSS与PMOS管M1的D极之间串接电阻R1，所述PMOS管M1的G极与端口VDD之间串接电阻R2，所述PMOS管M1的S极设有端口A，所述端口A与端口VSS会直接串接NMOS电容M9；所述端口A与端口VDD之间串接电流控制电路，以控制NMOS电容M9的充电时间。本实用新型能够实现电源上电后，精确控制上电复位信号的发出时间，以符合芯片的上电复位时间需求。
本实用新型一种基于负压系统下的上电复位电路在权利要求书中公布了：1.一种基于负压系统下的上电复位电路，其特征在于，包括提供负压的端口VDD和0V的端口VSS，所述端口VDD与端口VSS之间串接与复位端口POR连接的瞬态反向电路； 所述端口VSS与PMOS管M1的D极之间串接电阻R1，所述PMOS管M1的G极与端口VDD之间串接电阻R2，所述PMOS管M1的S极设有端口A，所述端口A与端口VSS会直接串接NMOS电容M9； 所述端口A与端口VDD之间串接电流控制电路，以控制NMOS电容M9的充电时间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人睿思威半导体科技(苏州)有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市常熟高新技术产业开发区黄浦江路280号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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